據韓國出版物《Hankyung》報道，三星準備在下個月推出第9代V-NAND（3DNAND閃存），預計將提供290層結構，比該公司於2022年首次推出的236層第八代V-NAND有進一步的提高。
據報道，三星是通過改進閃存層堆疊技術實現 290 層垂直堆疊密度的，這種技術依賴於通過在閃存層中增加存儲孔來增加層數。這樣做的代價是每個晶圓的數據密度，但增加層數帶來凈收益。
報道第 9 代 V-NAND 的同一消息來源還稱，該公司計劃在 2025 年初推出其後續產品--第 10 代 V-NAND。第 10 代 V-NAND 閃存預計將達到 430 層，比第 9 代 V-NAND 閃存增加 140 層（第 9 代 V-NAND 閃存比上一代增加 54 層）。
這將使三星與其競爭對手 Kioxia、SK Hynix、美光科技和 YMTC 重新走上正軌，向 2030 年實現 1000 層 3D NAND 閃存的宏偉目標發起沖擊。
igm，它與SK海力士合計占有全球NAND閃存市場的18%，僅次於三星的35.3%和Kioxia的18.9%。以下為官方新聞稿全文：SK海力士於8月3日宣佈成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND閃存。近日，SK海力士向客戶發送238層 512Gb TLC(Triple Level C
賽已經開始，這已不是什麼秘密。在2022年的技術日上，三星公佈雄心勃勃的計劃，到2030年，其最先進的NAND芯片將“堆疊超過1,000層”，這意味著PB級SSD屆時可能問世。去年，該公司曾表示可能能夠更快地交付產品，但這似乎是
達到321層，不過要到2025年上半年才能量產。有趣的是，三星方面此前聲稱，計劃在2030年實現1000層閃存(SSD容量也規劃到1000TB)，不知道和鎧俠誰能最先做到。三星的V-NAND已經推進到第九代，將在明年初量產，基於雙堆棧架構，可
快科技10月17日消息，今天，三星電子內存業務負責人Lee Jung-Bae發表文章，稱三星已生產出基於其第九代V-NAND閃存產品的運行芯片，希望明年初可以實現量產。同時三星還正在開發行業內領先的11納米級DRAM芯片。該負責人還表示
，2022年以來，存儲行業經歷一場“史無前例”的危機。三星電子利潤暴跌97%、SK海力士創下有史以來最大虧損、美光科技、西部數據等存儲大廠庫存攀升，存儲芯片價格跌入谷底。Gartner報告顯示，2023年全球存儲器市場規模下降3
Flash芯片。近日，芯片分析機構TechInsights對長存（YMTC）、三星、SK海力士和美光最新的NANDFlash閃存芯片進行比較，主要對比芯片尺寸、存儲密度、有源層、字線間距等因素。三星一直憑借其超高縱橫比 (UHAR) 孔蝕刻實現的單層工
三星正準備量產第8代V-NAND閃存，包括即將推出的PCIe5.0SSD在內的產品，都有望為用戶帶來巨大的存儲容量和性能體驗提升。隨著V-NAND升級到236層，同等存儲容量的體型也可變得更加緊湊。作為參考，去年發佈的第7代V-NAND已提供176
大。真正值得註意的是，在堆棧層數的競爭上，閃存一哥三星一直很低調，2022年11月份宣佈量產第八代V-NAND閃存，TLC類型，核心容量也是1Tb，但堆棧層數沒公佈，業界分析是230 以上，具體未知。三星預計在2024年量產第九代V-NAND
賽中，鎧俠展現出對層數挑戰的堅定決心，其目標似乎比三星更為激進。三星雖也計劃在2030年之前推出超過1000層的先進NAND閃存芯片，並計劃引入新型鐵電材料來實現這一目標，但鎧俠卻更早地設定具體的實現時間表。去年，鎧
這也已經是3D QLC NAND的一個巨大進步。Solidigm希望其即將推出的驅動器將能夠在企業市場領域取代機械驅動器。除此之外，Solidigm還聲稱，與競爭對手相比，它能提供更好的吞吐量和延遲，第一批采用新的192層3D QLC NAND的驅動器預
3.1 的兩倍。最先提出UFS 4.0內存開發和量產計劃的企業是三星電子。三星電子將於5月在世界上首次開發UFS 4.0內存，從本月開始正式投入量產。三星電子的UFS 4.0內存搭載自主開發的UFS 4.0控制器和第七代176層NAND（V7），連續讀取
制造商已經宣佈他們的多層3D NAND，包括美光、SK海力士、三星和YMTC。除三星之外，所有品牌都使用Phison PS5026-E26控制器，而這三個產品最多隻能達到12GB/s的連續讀取傳輸率。然而，通過每個公司的固態硬盤上的3D NAND芯片實現2400M
X-DRAM投入生產還要靠合作，他們計劃尋找授權廠商，包括三星、SK海力士、美光、西數、鎧俠等等。
存制造商長江存儲在2022年閃存峰會（FMS）上宣佈，正式推出基於晶棧?3.0（Xtacking?3.0）技術的第四代TLC三維閃存X3-9070。消息顯示，該3DNAND閃存堆疊層數或已達到業界領先的232層。長江存儲第四代TLC三維閃存X3-9070據介紹，X3-9070與