SK海力士基於UFS 4.0規范的238層V8 NAND最早明年上半年量產


SK海力士將把目前最高的238層NAND(V8)應用於新一代內置閃存UFS(通用閃存)的最新規格產品,預計最早明年上半年可以量產。UFS是應用國際半導體標準化機構JEDEC的內置存儲器接口的閃存,這是為智能手機、平板電腦等移動傢電而制定的新一代標準,與傳統的MMC(多媒體卡)相比,數據處理速度和電源效率要高得多。

UFS 4.0 是今年 5 月正式批準的最新標準,其數據傳輸帶寬為 23.2 Gbps,是之前 UFS 3.1 的兩倍。

最先提出UFS 4.0內存開發和量產計劃的企業是三星電子。三星電子將於5月在世界上首次開發UFS 4.0內存,從本月開始正式投入量產。三星電子的UFS 4.0內存搭載自主開發的UFS 4.0控制器和第七代176層NAND(V7),連續讀取和連續寫入速度分別為4200MB/s、2800MB/s。封裝水規格為長11毫米、寬13 毫米,高1.0 毫米。

SK海力士也制定UFS 4.0內存的具體開發計劃。SK海力士將在UFS 4.0內存上搭載V7和V8 NAND作為主力。其中,V8是SK海力士在世界上首次開發的目前最高238層NAND,與前幾代176層相比,傳輸速度更加出色。與傳統的封裝相比,TLC 4D封裝技術在減少單位單元面積的同時,生產效率更高也是主要特點。

SK海力士正在開發的UFS 4.0內存的數據處理速度是連續讀取4000MB/s,連續寫入2800MB/s水平。外形為寬11毫米、長13毫米、高0.8毫米,是一種非常薄的封裝形式。

目前,SK海力士已經向主要客戶公司提供238層NAND樣品,計劃明年上半年進行量產。因此,搭載V8 NAND的UFS 4.0內存最早也有望從明年上半年開始量產。


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