業界最高性能！SK海力士推出新一代移動端閃存ZUFS 4.0

的領先地位擴展到NAND領域，並擴大其在以HBM為代表的高性能DRAM領域的成功。ZUFS 是一種差異化技術，它能將智能手機產生的數據按照特征分類並存儲在不同的區域。與傳統的 UFS 不同，最新產品將具有相似用途和頻率的數據分組

SK海力士將把目前最高的238層NAND（V8）應用於新一代內置閃存UFS（通用閃存）的最新規格產品，預計最早明年上半年可以量產。UFS是應用國際半導體標準化機構JEDEC的內置存儲器接口的閃存，這是為智能手機、平板電腦等移動傢

研發以來，時隔僅1年7個月，SK海力士全球首次成功完成新一代技術的研發。此次238層NAND閃存在達到業界最高堆棧層數的同時實現全球最小的面積，其意義更加非凡 。”* NAND閃存芯片根據每個單元(Cell)可以存儲的信息量（比特,bi

UFS 4.0的企業級固態硬盤。該公司希望這些產品能夠實現業界領先的性能，充分滿足客戶對高性能的需求。同時，SK hynix還宣佈已開始開發下一代PCIe Gen6和UFS 5.0，並通過這些產品獲得更完善的解決方案開發技術。

。而另一個被譽為“半導體風向標”的存儲市場，在如今業界對行業復蘇與轉折的強烈預期中，正經歷著怎樣的轉折與演變？殘酷周期之後又是否能苦盡甘來？存儲巨頭財報，透露出哪些信號？受終端需求不振和產業鏈庫存高企

ND市場將在2024年復蘇。隨著個人電腦和高端智能手機融入新一代人工智能技術，消費電子產品的需求將會增加，數據中心對固態硬盤的需求預計也會增加。制造商的過剩庫存將通過利用率管理得到消除，市場將出現輕微供應不足

AND閃存，TLC類型，核心容量也是1Tb，但堆棧層數沒公佈，業界分析是230 以上，具體未知。三星預計在2024年量產第九代V-NAND閃存，層數提升到280，再往後預計2025-2026年推出第十代V-NAND閃存，堆棧層數430 。這就是為什麼三星在300

在今天的英偉達GTC2024大會上，英偉達CEO黃仁勛宣佈推出新一代GPUBlackwell，第一款Blackwell芯片名為GB200，將於今年晚些時候上市。采用臺積電4NP工藝制程，配備192HBM3E內存，共有2080億個晶體管，大語言模型性能比H100提升30倍，成本

，無論是臺式電腦、筆記本電腦還是手機，都會充分利用新一代內存技術。得益於服務器市場，2022年DDR5內存的使用率將增加25%，到2023年，DDR5內存的市場份額會超過50%。2024年至2026年，隨著DDR5內存全面被各個市場采用，DDR4內存

據韓媒報道，有消息稱SKSiltron已開始供應新一代存儲器用晶圓給三星電子、SK海力士等，期望打破日本業者寡占局面，加速推動韓國半導體材料自產化大業。報道稱，SKSiltron已於6月完成10nm級第四代(1a)DRAM的拋光晶圓開發，預計202

6日，其開發出第五代技術HBM3E，擁有12層DRAM芯片，容量為業界最大36GB。同一天，總部位於愛達荷州博伊西的美光公司表示，它已開始批量生產 24GB、八層 HBM3E，這讓業界觀察人士感到驚訝，該產品將成為英偉達第二季度出貨的 H2

GPU、AI 加速器和內存等各種解決方案的效率。不過最讓業界關註的，還是其在容量擴展上的靈活性。因為 CXL 允許通過附加的 GPU / SSD 等組件，輕松改變系統的內存容量和其它資源。但就 SK 海力士而言，該公司還是更關註 CXL 內

在業界頻傳NAND閃存價格迅猛下滑之際，作為市占率近34%的全球最大閃存供應商三星電子，卻仍在逆勢增加投資，並官宣其閃存產品將漲價10%。目前，這一漲價幅度，已為中國部分廠商接受。1月12日，華爾街見聞獲悉，三星電子

士已經成為硬件領域的早期贏傢之一。 SK海力士表示，其新一代高帶寬內存芯片每秒可以處理230部全高清電影。由於智能手機和電腦銷量下滑，整個內存芯片市場陷入嚴重低迷。但是，SK海力士的股價自今年年初以來上漲近60%，