據韓媒報道，有消息稱SKSiltron已開始供應新一代存儲器用晶圓給三星電子、SK海力士等，期望打破日本業者寡占局面，加速推動韓國半導體材料自產化大業。報道稱，SKSiltron已於6月完成10nm級第四代(1a)DRAM的拋光晶圓開發，預計2022年下半起開始供應三星、SK海力士等。
目前應用最廣泛的矽晶圓，主要可分為拋光(polished)和磊晶(epitaxial)晶圓兩種。拋光晶圓是以高純度多晶矽加工制成，用於DRAM、NAND Flash等，磊晶晶圓則是將厚度幾微米(µm)的矽單晶層，蒸鍍到拋光晶片上，主要用於系統半導體。據悉SK Siltron此次開發並量產的晶圓，主要是用於最新10nm級DRAM。
三星、SK海力士已在第四代(1a)DRAM導入極紫外光(EUV)制程。EUV是新一代曝光技術，采用荷蘭ASML獨傢生產的設備。由於EUV與現有的光波長，具有不同特性，因此須采用不同材料，而開發1a DRAM晶圓的難度同樣很高。
據解，SK Siltron加入供應之前，隻有日本勝高和信越化學能夠供應，2021年下半量產1a DRAM的三星、SK 海力士，先前僅使用日本生產的晶圓。
相關人士表示，1a DRAM占比不斷提高的情況下，SK Siltron研發成功與量產，無疑幫助韓國實現材料供應鏈多元化，從韓國國產化大業角度而言別具意義。SK海力士傳計劃2022年底前1a DRAM占比將提升至產量的4分之1左右。
另一方面，2021年SK Siltron的12英寸晶圓市占率約18%左右，排名業界第三，而勝高市占30%、信越化學市占25%，最近2~3年間SK Siltron正在大幅縮小落後差距。