**劃重點:**
1. 🚀 三星發佈HBM3E12H內存芯片，宣稱性能和容量均提升超過50%。
2. 💻 行業AI服務提供商需求增加，新產品滿足高容量需求，為AI時代高容量內存市場技術領先奠定基礎。
3. 💰 分析師預計消息將對三星股價產生積極影響，公司計劃於2024年上半年開始量產。
站長之傢(ChinaZ.com) 2月27日 消息:三星電子於周二宣佈研發出一款全新高帶寬內存芯片，被譽為行業內“容量最大”產品。這款名為HBM3E12H的芯片據稱“性能和容量均提升超過50%”。
三星表示:“行業的AI服務提供商對更高容量的HBM需求日益增長，而我們的新產品HBM3E12H正是為滿足這一需求而設計的。”三星電子內存產品規劃執行副總裁Yongcheol Bae表示:“這一全新的內存解決方案是我們發展高層次HBM核心技術、在AI時代為高容量HBM市場提供技術領導力的一部分。”
三星電子是全球最大的動態隨機存取存儲器芯片制造商，其產品廣泛應用於智能手機和計算機等消費電子設備。隨著生成式人工智能模型如OpenAI的ChatGPT對高性能內存芯片的需求增加，這類芯片使得生成式人工智能模型能夠記住過去對話和用戶偏好的細節，以生成更具人類感的回應。
人工智能的熱潮繼續推動芯片制造商的發展。美國芯片設計公司Nvidia在其第四財季營收中錄得265%的增長，歸因於其圖形處理單元的需求激增，其中數千個用於運行和訓練ChatGPT。
Nvidia首席執行官Jensen Huang在與分析師的通話中表示，公司可能無法在整個年度保持這一增長或銷售水平。三星電子表示，隨著人工智能應用的指數級增長，“HBM3E12H預計將成為未來需要更多內存的系統的最佳解決方案。其更高的性能和容量將使客戶能夠更靈活地管理資源，降低數據中心的總體擁有成本。”
三星表示已開始向客戶提供該芯片樣品，HBM3E12H的大規模生產計劃於2024年上半年開始。
分析師SK Kim表示:“我認為這一消息將對三星的股價產生積極影響。去年，三星在Nvidia的HBM3方面落後於SK Hynix。此外，Micron昨天宣佈HBM3E的24GB8L產品大規模生產。我認為這將確保三星在基於更高層次（12L）和更高密度(36GB)的HBM3E產品上取得領導地位。”
去年九月，據韓國經濟日報報道，三星與Nvidia簽署供應其高帶寬內存3芯片的協議。該報道還稱，韓國第二大內存芯片制造商SK Hynix領導高性能內存芯片市場。SK Hynix此前是唯一向Nvidia供應HBM3芯片的大規模生產商。
三星表示，HBM3E12H采用12層堆棧，但應用先進的熱壓縮非導電薄膜，使得12層產品具有與8層產品相同的高度規格，以滿足當前HBM封裝要求。結果是，芯片在不增加物理占地面積的情況下，提供更多的處理能力。
三星表示:“三星一直在降低其NCF材料的厚度，並在七微米（µm）的尺寸中實現芯片之間的最小間隙，同時消除層間空隙。這些努力使其垂直密度比其HBM38H產品提高超過20%。”
最後，三星電子強調該內存芯片的未來發展前景，並計劃於2024年上半年開始量產。