三星半導體今日宣佈，其第九代1TbTLCV-NAND閃存已開始量產。三星電子閃存產品與技術主管SungHoiHur表示：“我們很高興推出三星首款第九代V-NAND產品，這將為未來應用的飛速發展提供新的可能性。為滿足持續演進的NAND閃存解決方案需求，三星在新型閃存的單元架構和操作方案上實現重大突破。”
據悉，第九代V-NAND閃存憑借其超小的單元尺寸和極致的疊層厚度，實現比上一代產品高約50%的位密度。新技術的運用，如單元幹擾避免和單元壽命延長，不僅提升產品的質量和可靠性，而且通過消除虛通道孔顯著減少存儲單元的平面面積。
此外，三星展現其在制造工藝上的卓越能力，通過采用先進的“通道孔蝕刻”技術，該技術能夠在雙層結構中同時鉆孔，達到業界最高的單元層數，從而最大限度地提高生產效率。隨著閃存單元層數的增加，對更復雜蝕刻技術的需求也日益凸顯。
值得一提的是，第九代V-NAND還配備新一代的NAND閃存接口“Toggle 5.1”，使數據傳速速度提升33%，最高可達到每秒3.2Gbps。同時，三星還計劃通過增強對PCIe 5.0的支持來進一步鞏固在高性能固態硬盤市場的地位。
與上一代相比，第九代V-NAND還在低功耗設計上取得顯著進步，功耗降低10%，這一改進使得新型閃存成為未來低能耗應用的理想選擇。
目前，三星已經開始第九代1Tb TLC V-NAND的量產，並計劃在今年下半年推出四層單元（QLC）的第九代V-NAND產品。