三星已宣佈開發出下一代HBM4內存，該內存將於2025年亮相，並具有一些強大的規格和功能。在這傢韓國半導體制造商的一篇博客文章中，三星再次重申其HBM4內存目前正在開發中，並將於2025年亮相。
該公司目前的 HBM 產品組合包括作為頂級產品的 HBM3E"Shinebolt"，采用 24 Gb DRAM，容量達 36 GB，傳輸速度達 9.8 Gbps。該內存技術采用 2.5D 封裝，支持 12 Hi 的堆疊。
三星 HBM 產品組合的下一個演變將以 HBM 4 的形式出現。這種特殊內存的代號目前尚不清楚，但它應該會有更大的發展。從規格開始，三星的 HBM4 內存預計將包含多達 16-Hi 堆棧，如果我們使用相同的 24 Gb 模塊可以組合出高達 256 GB 的 HBM4 容量，速度非常快，而目前的峰值約為 10 Gbps。三星表示：
首先是"細分"。在早期市場，硬件的通用性非常重要，但在未來，隨著圍繞殺手級應用的服務日趨成熟，硬件基礎設施將不可避免地經歷一個針對每種服務進行優化的過程。三星電子計劃通過統一核心芯片、多樣化封裝和基礎芯片（如 8H、12H 和 16H）來應對。
目前，NVIDIA 的 Blackwell B100/B200和AMD 的 Instinct MI300 GPU可提供高達 192 GB 的 HBM 容量。前者采用較新的 HBM3E 標準，後者采用 HBM3 DRAM 解決方案。這兩款 GPU 都有 8 個 HBM 位點，每個位點都有 12-Hi 堆棧，因此如果將這些位點升級到較新的 16-Hi 堆棧，就可以獲得 256 GB 的容量。這還不算 HBM4 將推出的更密集的 DRAM 模塊（24 Gb+）。
如果說從下一代 HBM4 開始，為解決功耗墻問題而進行的第一次創新是從推出使用邏輯工藝的基礎芯片開始的，那麼隨著從目前的 2.5D HBM 逐步發展到 3D HBM，將出現第二次創新。隨著 DRAM 單元和邏輯的發展，預計將出現第三次創新，如 HBM-PIM。目前，我們正在與客戶和合作夥伴討論如何實現這些創新，並將積極規劃和準備開拓市場。
此外，HBM4 背後的另一項關鍵技術將是 3D 封裝的利用。 最近，JEDEC 放寬對 HBM4 內存的要求，允許公司利用現有的粘合技術。下一代 3D 封裝還可能克服與混合粘合相關的一些價格問題。AMD 預計將通過 MI350 和 MI370 系列更新其 MI300產品線，這些產品線預計將增加容量，而NVIDIA則可能在 HBM4 供應穩定後更新其 Blackwell GPU，以便在未來推出速度更快的產品。