SK hynix宣佈2026年量產HBM4 為下一代AI GPU做準備

一個人工智能聯盟，攜手邁向未來，這將加速英偉達和AMD下一代GPU的HBM4開發。臺積電和SKhynix視三星電子為市場威脅，將快速推進HBM4，並將首先用於下一代NVIDIA圖形處理器。目前，人工智能產業正在蓬勃發展，就財務方面而言，

分利用這一巨大需求，對現有設施進行升級，並對當前和下一代工藝進行重大改進，而它們似乎已經開始從中獲益。HBM內存的主要供貨商 SK hynix 正式證實其前幾個月分析報告中"破紀錄"的 HBM 銷量，重申其在HBM領域的發展

傢公司都參與該內存類型的最有效開發，因為它最終將為下一代市場的成功奠定基礎。據 ZDNet Korea報道，為幫助制造商，JEDEC 決定將 12 層和 16 層 HBM4 堆棧的 HBM4 封裝厚度降低到 775 微米，因為更高的厚度水平會帶來復雜性，而

。DigiTimes Asia稱，SK Hynix準備在本月某個時間點"開始量產第五代HBM3E"。業內人士認為，SK Hynix 的良品率足以通過NVIDIA的早期認證，先進的 12 層樣品有望在不久的將來獲得批準。ZDNet認為，SK Hynix 的發展勢頭使其處於有利地

似乎已圍繞NVIDIA為中心，其中NVIDIA的AI訂單將主導當前和下一代HBM供應。根據市場研究，NVIDIA準備將其HBM訂單的相當一部分交給韓國巨頭三星，因為兩傢公司都開始建立對人工智能行業至關重要的業務關系。早在9月份就有消息稱

更"高效"的半導體封裝，該公司相信下一代HBM4存儲器可以實現這一目標。據說SK 海力士已經聘請相當數量的邏輯半導體設計專傢，這在一開始是沒有意義的，因為該公司隻專註於內存，但從今天的發展來看，S

於何處還有待觀察。領先於競爭對手 SK Hynix 和三星開始量產 HBM3E 內存是美光公司取得的一項重大成就，目前美光公司在 HBM 領域占據 10% 的市場份額。此舉對該公司至關重要，因為它使美光能夠比競爭對手更早推出高端產品，從

sity 9300運行，今年8月，SK hynix確認已經完成應用聯發科技下一代移動AP的性能驗證。SK海力士副總裁兼DRAM營銷負責人Myoungsoo Park表示："隨著人工智能時代的全面到來，智能手機正成為實施On-Device AI3技術的重要設備。市場對高

，存儲制造商加速HBM芯片的研發，混合鍵合一度成為實現下一代HBM（HBM4）中的重要技術。然而近日行業的風向似乎發生一些轉變，混合鍵合，是3D封裝的未來？還是曇花一現？下一代HBM棄用混合鍵合？在下一代的HBM芯片規劃中，

步地取得進展，將推進大規模生產HBM3E。同時正處於開發下一代HBM4產品的正軌之上，提出在2026年推出"HBM4"的藍圖，其將擁有12層或16層D-RAM。SK海力士還透露，將把下一代後處理技術“混合鍵合”應用於HBM4產品。與現有的

0月SK海力士成功開發出第四代產品HBM3，並於2022年6月開始量產。2023年，SK海力士成功開發出面向AI的超高性能DRAM新產品HBM3E。可以說從HBM1、HBM2E、HBM3、HBM3E，SK海力士持續領先。SK海力士占據HBM市場50%的份額，三星占比40%，美光占

經在展示新標準的真正能力。SKhynix反擊三星，展示用於下一代GPU的下一代GDDR7內存模塊，每個模塊帶寬達160GB/s，容量為3GB。雖然有報道稱第一代 GDDR7 內存產品將使用 28 Gbps 的芯片，容量為 16 GB（2 GB VRAM），但 DRAM 制造商並沒有

存儲器產品都難以在該領域擊敗HBM，唯一的勝出者隻能是下一代HBM。HBM技術自2013年在半導體市場嶄露頭角以來，已擴展至第一代（HBM）、第二代（HBM2）、第三代（HBM2E），目前正步入第四代（HBM3）、第五代（HBM3E），而第六代

SKhynix宣佈世界上第一款12層HBM3內存，與上一代相比，每個堆棧的容量提高到24GB。據SKhynix稱，12層HBM3堆棧與之前的8層HBM3堆棧相比，內存容量提升50%，後者提供高達16GB的內存容量。雖然還沒有宣佈使用這種內存的新產品，但NVIDIA