盡管臺積電過去幾年在7nm、5nm、4nm等先進工藝上占盡優勢，但是三星一直在努力追趕，3nm節點將成為三星的一次關鍵，韓國媒體稱三星將在下周宣佈3nm工藝量產，進度將領先臺積電。
據韓聯社消息，接近三星的消息人士稱，三星計劃在6月最後一周宣佈量產3nm工藝的消息，屆時三星將會成為全球第一個量產3nm工藝的半導體廠商，臺積電的3nm計劃是2022年下半年量產。
5月底，美國總統參觀瞭三星位於平澤市附近的芯片工廠，這裡是目前全球唯一一個可以量產3nm工藝的晶圓廠，三星首次公開瞭3nm工藝制造的12英寸晶圓，不過具體是哪款芯片還不得而知。
根據三星的說法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高瞭45%以上，功耗降低瞭50%，性能提高瞭約35%，紙面參數上來說卻是要優於臺積電3nm FinFET工藝。
。根據三星的信息，目前量產的是3nmGAE工藝，夠降低45%的功耗，減少16%的面積，並同時提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好，預計2024年才能量產。此前消息，除三星
藝實際上分為兩代，目前量產的是3nmGAE工藝，夠降低45%的功耗，減少16%的面積，並同時提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好，不過要到2024年才能量產，還有2年時間。
和之前三星代工的 8Gen1 相比呢……也就性能高瞭一點，功耗更低瞭一些……這屬實是撞車不可怕，誰差誰尷尬瞭。圖源極客灣▼差評君還聽到一個芯片行業地獄笑話：過去大傢做芯片呢，是一手交錢，一手按消耗的晶圓數量來
當前5nm工藝相比，3nmGAA可在收縮尺寸的同時，帶來更低的功耗和更高的性能，未來的GalaxyS等旗艦設備有望獲益於此。同時競爭對手臺積電也於本月開啟3nmFinFET生產，但GAA芯片要到2025年推出。目前尚不清楚三星 3nm GAA 會從臺積電
前的FinFET架構，采用新的GAA晶體管架構，大幅改善芯片的功耗表現。與5nm相比，新開發的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，並同時提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少3
轉向 3nm 工藝使工程師能夠降低芯片和計算系統的成本和功耗，同時保持信號完整性和性能。3nm，臺積電的新裡程碑據臺積電介紹，公司的3奈米（N3）制程技術將是5奈米（N5）制程技術之後的另一個全世代制程，在N3制程技術推
管工藝，與現有的FinFET相比，可實現30%的性能提升、50%的功耗降低、以及減少45%的面積。相比之下，臺積電的N3制程節點仍將使用FinFET，不過會引入FINFLEX技術，量產時間將會在今年下半年，有傳言稱是8月份。在月初的歐洲之行
應求。據悉，三星目前量產的是3nm GAE工藝，夠降低45%的功耗，減少16%的面積，並同時提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好，不過要到2024年才能量產，還有2年時間。
在紙面參數上，可謂是實現瞭質的飛躍——性能猛提30%，功耗猛降50%，面積也減少瞭35%。來源：新智元中間三位大咖抱的可不是普通的“盤子”，而是剛從三星華城電子園區生產線上拿下來的3納米晶圓。再看看周圍的其他團隊
官方數據，與5nm相比，新開發的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，並同時提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好。三星搶先量產3nm工藝，奪得頭彩，然而這
相比於5nm工藝，3nm工藝的邏輯密度將增加60%，相同速度下功耗降低30-35%，這是世界上最先進的技術。其他廠商要等第二代3nm，也就是N3E工藝，對比N5同等性能和密度下功耗降低34％、同等功耗和密度下性能提升18％，或者可以將晶
造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高瞭45%以上，功耗降低瞭50%，性能提高瞭約35%，紙面參數上來說卻是要優於臺積電3nm FinFET工藝。
“與5納米（nm）工藝相比，第一代3納米（nm）工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%”。芯片面積隻減少16%顯然不是一個晶體管密度翻倍的數據。這樣“有提升就可以按下一代工藝命名”的方式使得不同廠商之間
公司 5nm 工藝相比，第二代 3nm GAA 仍有望降低多達 50% 的功耗、提升 30% 性能、以及減少 35% 的芯片面積占用。受此利好影響，高通或與三星重新就 3nm GAA 芯片代工業務建立合作夥伴關系 —— 但前提是臺積電這邊的 3nm 工藝遇到良