當代電子產品中除要使用各種芯片之外，還要把芯片焊接在PCB上，傳統方式是焊接，但是高溫焊接的成本更高，三星正在研發新一代低溫焊接技術。據韓國媒體報道，三星電子已開始開發用於下一代高科技封裝的低溫焊接技術，計劃到2025年完成技術開發並實現量產。
據悉，焊料是一種用於連接封裝基板和半導體芯片管芯的材料。
與需要200°C或更高溫度的傳統焊料不同，使用低溫焊料可以降低封裝工藝成本和不良率。
根據國際電子生產商聯盟的預測，到2027年，采用低溫焊接工藝的產品市場份額將增長至20%以上，低溫焊接工藝將成為電子產品焊接工藝的新趨勢。
同時，低溫錫膏焊接工藝也為更多產品集成化拓展更大的設計自由度和想象空間，將成為助力集成電路產業創新，促進綠色低碳發展的催化器。
不過低溫焊也引發過爭議，因為焊料溫度低，消費者認為容易引發元件脫落，導致各種故障，此前已經有筆記本品牌遭遇過這方面的質疑。
雖然臺積電3nm芯片已經量產，但截止昨天，我們都沒有看到芯片公司發佈相關產品。到今天，這個局面終於被打破。美國芯片公司Marvell表示，公司基於臺積電3納米(3nm)工藝打造的數據中心芯片正式發佈。據Marvell介紹，公司在該
戶提供功率半導體、微控制器、先進的自動駕駛人工智能芯片等多種解決方案。”三星強調，其將在2026年完成車用2nm芯片的量產；同時還透露其開發業界首款5nm eMRAM的計劃。自2019年成為業內首傢量產基於28nm工藝eMRAM的公司以來
混合鍵合（HybridBonding），主要用於在芯片的垂直堆疊中實現互連，在2.5D和3D封裝領域頗受歡迎。它最大的特點是無凸塊，結合金屬鍵合和非導電粘合劑（通常是氧化物或聚合物）的方法，能夠在微觀尺度上實現芯片間的直接電
3D封裝技術，但是它們的產能之前很受限制，除成本高，焊接工藝復雜也是問題。芯片焊接目前主要采用高溫焊，焊料主要是SAC（Sn-Ag-Cu）錫、銀、銅材質，熔點超過250℃，這個溫度的焊接技術對大部分芯片來說沒問題，但HBM內
3D封裝技術，但是它們的產能之前很受限制，除成本高，焊接工藝復雜也是問題。芯片焊接目前主要采用高溫焊，焊料主要是SAC（Sn-Ag-Cu）錫、銀、銅材質，熔點超過250℃，這個溫度的焊接技術對大部分芯片來說沒問題，但HBM內
3D封裝技術，但是它們的產能之前很受限制，除成本高，焊接工藝復雜也是問題。芯片焊接目前主要采用高溫焊，焊料主要是SAC（Sn-Ag-Cu）錫、銀、銅材質，熔點超過250℃，這個溫度的焊接技術對大部分芯片來說沒問題，但HBM內
藝中，臺積電稱3nm工藝今年下半年會放量，同時還有更低成本但密度有所減少的N3E工藝量產。再往後還有2nm工藝，臺積電表示客戶對2nm工藝熱情高漲，將按計劃在2025年量產，但沒有提及具體的客戶信息，不出意外還是蘋果首發
佈3nm工藝正式量產，這一次三星終於領先臺積電率先量產新一代工藝，而且是彎道超車，後者的3nm今年下半年才會量產。根據三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄之前的FinFET架構，采用新的GAA晶體管架構，大幅改善芯片的功耗表
米（SF2）工藝中應用的第三代GAA特性。據報道，三星的2nm芯片將采用這種全柵極技術，因為該公司的代工部門計劃在2025年開始大規模生產2nm芯片。三星尚未在其 3nm GAA 節點上獲利，這主要歸功於其產量低，導致與其他公司的合
消息人士稱，蘋果一直在積極準備2納米芯片，並希望與臺積電合作，為其內部開發的處理器應用新節點。據悉，蘋果iPhone、iPad和Mac所搭載的自研A系列和M系列芯片都是交由芯片制造商臺積電代工的。像M1和A15這樣的蘋果處理器是
近期，2nm等先進芯片發展備受行業關註。6月17日臺積電舉行的技術論壇上，晶圓代工龍頭臺積電（TSMC）首次披露，到2024年，臺積電將擁有阿斯麥（ASML）最先進的高數值孔徑極紫外（high-NAEUV）光刻機，用於生產納米片晶體管（GA
三星最近開始向客戶交付首批3nmGAA芯片，但智能手機芯片供應商並沒有很快被其吸引，而是繼續與競爭對手臺積電接洽未來訂單。不過據半導體、移動與無線行業分析師SravanKundojjala在Twitter上所述，這一情況有望於2024年迎來轉變
Intel以往是全球最先進芯片工藝的領導者，然而在14nm到10nm節點之間遇到問題，導致臺積電、三星追趕上來，並且率先量產EUV工藝，不過Intel也在努力反超，CEO制定的路線圖意味著他們隻要2年就能實現EUV工藝趕超臺積電、三星的
（鰭式場效應晶體管），也就是進入GAA晶體管時代，不過三星在3nm節點就已經采用這個技術。N2相較於N3，在相同功耗下，速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%，開啟高效能新紀元。不過密度方面擠牙膏，相比3nm僅提升10%，