三星電子高管近日透露，該公司完成采用16層混合鍵合HBM內存技術驗證，已制造出基於混合鍵合技術的16層堆疊HBM3內存樣品，該內存樣品工作正常，未來16層堆疊混合鍵合技術將用於HBM4內存量產。混合鍵合技術作為新型的內存鍵合方式，相較於傳統工藝，展現出顯著的優勢。
它摒棄DRAM內存層間添加凸塊的繁瑣步驟，通過銅對銅的直接連接方式實現層間連接，從而大大提高工作效率。
這種創新不僅顯著提升信號傳輸速率，更好地滿足AI計算對高帶寬的迫切需求，而且有效降低DRAM層間距，使得HBM模塊的整體高度得到顯著縮減，進一步提升其集成度和便攜性。
盡管混合鍵合技術的成熟度和應用成本一直是業界關註的焦點，但三星電子通過多元化的策略，積極應對這些挑戰。在推進混合鍵合技術研究與應用的同時，公司還同步開發傳統的TC-NCF工藝，以實現技術多樣化，降低風險，並增強整體競爭力。
據悉，三星設定的目標是將HBM4中的晶圓間隙縮減至7.0微米以內，這將進一步提升HBM4的性能和可靠性，為未來的計算應用奠定堅實基礎。
業內專傢對此表示，三星在16層混合鍵合堆疊工藝技術方面的突破，無疑將有力推動HBM內存技術的發展，為未來的計算應用提供更為強大的內存支持。