三星宣佈開發GDDR6W顯存。這種內存旨在幫助滿足未來在內存容量和內存帶寬方面的要求。基本上，GDDR6W是經典GDDR和HBM之間的一種混合體。在GDDR6W中，DRAM是堆疊的。三星使用自己的扇出型晶圓級封裝（FOWLP）技術來堆疊兩層DRAM。
目前，三星最快的GDDR6內存（GDDR6 x32）達到24Gbps。現在，GDDR6W x64的內存帶寬達到兩倍，且GDDR6W每塊芯片也實現容量翻倍，達到4GB的容量。
GDDR6和GDDR6W之間的差異在存儲器的結構中變得很明顯。前者使用一個底部有BGA的PCB，通過PCB對DRAM芯片進行佈線。堆棧的高度被標準化為1.1毫米。GDDR6W首先使用重分佈層（RDL），底部是BGA，然後是第一層DRAM。在此基礎上再加一個RDL，它又連接第二層的DRAM。插在封裝填料中的銅柱將兩個RDL連接在一起。
GDDR6W的高度隻有0.7毫米，減少36%。最重要的是，據說印刷電路板的缺失是造成高度降低的原因。 底部的I/O引腳數量從32個增加到64個，這樣也可以實現雙倍帶寬。據說該封裝在其他方面與GDDR6相同。
事實上，GDDR6W應該是HBM的替代品，以下幾個對比數字可以說明問題：
GDDR6W和HBM的比較
三星對比帶有八個GDDR6W芯片的"系統"或顯卡/加速卡和一個帶有四個HBM芯片的系統。由於I/O引腳較少，電路板設計更簡單，GDDR6W允許每個引腳的帶寬大大增加。最終，總的內存帶寬相當接近，為1.4至1.6TB/s。
與HBM相比，GDDR6W還有一個優勢，即由於內存芯片本身的熱量發展而產生的妥協較少。盡管如此，從熱的角度來看，兩層結構的GDDR6W的表現也值得關註，特別是GDDR6X在過去已經證明它可以耐受高達100℃的溫度。 目前還不知道兩層結構是否能夠同樣做到這一點。
JEDEC對GDDR6W的標準化工作應在2022年第二季度完成，三星提到筆記本電腦是可能的應用領域，但也提到AI和HPC加速器以及其GPU合作夥伴。不幸的是，三星並沒有說這些是哪些，也不知道什麼時候可以期待第一批產品。