三星宣佈，3nm芯片順利流片，為芯片的大規模量產做好準備。據悉，三星與Synopsys公司合作，雙方對整個芯片制造過程進行微調，從而最大限度提升芯片良率。這是三星第一款3nm芯片，它采用GateAllAround（GAA）工藝，三星GAA設計被稱為MCBFET，即多信道橋式FET。
三星稱，與傳統3nm芯片相比，自傢3nm GAA設計的產品功率損耗可降低50%，性能也將得到改善，與之前的4nm FinFET工藝相比，能效和密度有著20%至30%的提升。
按照計劃，三星接下來會大規模生產下一代Soc，這顆芯片應該是傳聞中的Exynos 2500，Galaxy S25系列將會首發搭載，其性能對標高通驍龍8 Gen4以及聯發科天璣9400，後兩款芯片則是采用臺積電3nm工藝。
除旗艦手機，三星自傢的Galaxy Watch 7系列智能手表也有可能會搭載3nm芯片。
6月30日，正如之前外界傳聞的那樣，三星電子今天正式對外宣佈，其已開始大規模生產基於3nmGAA（Gate-all-around，環繞柵極）制程工藝技術的芯片，這也使得三星搶先臺積電成為瞭全球首傢量產3nm的晶圓代工企業。三星量產3nm GAA
作為全球半導體技術的領導者，三星電子剛剛宣佈，其已開始用3nm工藝節點來制造GAA環柵晶體管芯片。可知與5nm工藝相比，優化後的3nm工藝可在收縮16%面積的同時，降低45%的功耗並提升23%的性能。（來自：Samsung Newsroom）據悉，
將提供可調節的通道寬度以獲得更高的性能或降低功耗。三星3nm，起個大早其實早在臺積電公佈3nm量產之前，三星早就宣佈已經實現3nm工藝的量產。2022年六月，三星宣佈已開始采用環柵 (GAA) 晶體管架構的 3 納米 (nm) 工藝節點的
啟3nmFinFET生產，但GAA芯片要到2025年推出。目前尚不清楚三星 3nm GAA 會從臺積電那邊挖來多少客戶，但從紙面參數來看，其較 5nm 工藝的升級迭代還是相當亮眼的。對於移動設備來說，環柵晶體管將帶來能效的顯著提升和尺寸縮進
三星半導體這幾年，小日子過的有些不順。別的不說，差友摸摸自己的手機，看看三星晶圓廠代工的888、8gen1，簡直可以說是冬天的暖手寶，夏日的燙手山芋。好不容易代工出來的產品成瞭人人喊打的“過街老鼠”，而且芯片生
的需求，導致芯片價格一路飆升，狂漲數十倍。臺積電和三星作為目前全球排名前二的芯片代工廠，更是在這兩年中賺得盆滿缽滿，哪怕臺積電不斷提高芯片代工價格，訂單還是接到手軟。特別是下半年3nm工藝量產，更是可能給
31日消息，據報道，由於下一代Exynos芯片開發工作緩慢，三星目前暫停在其旗艦手機中搭載Exynos芯片，Galaxy S23系列均采用高通芯片。不過，三星計劃為Galaxy S25研發新款Exynos芯片，可能會采用第二代3nm GAA技術量產。但是由於3nm GAA
行業消息來源稱，三星公司將在"VLSISymposium2024"（2024年超大規模集成電路研討會）上發表一篇論文，介紹在2納米（SF2）工藝中應用的第三代GAA特性。據報道，三星的2nm芯片將采用這種全柵極技術，因為該公司
三星最近開始向客戶交付首批3nmGAA芯片，但智能手機芯片供應商並沒有很快被其吸引，而是繼續與競爭對手臺積電接洽未來訂單。不過據半導體、移動與無線行業分析師SravanKundojjala在Twitter上所述，這一情況有望於2024年迎來轉變
DIGITIMES報道，IC設計公司的消息人士透露，盡管競爭對手三星電子積極爭奪3nm芯片訂單，但臺積電繼續從蘋果和英特爾等供應商那裡獲得3nm芯片訂單承諾。消息人士表示，三星正在努力擴大其3nm客戶組合，但尚未取得重大進展。
《向天再借五百年》詞曲作者的諒解。在6月最後一天，三星宣佈3nm工藝正式量產，這一次三星終於領先臺積電率先量產新一代工藝，而且是彎道超車，後者的3nm今年下半年才會量產。根據三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄之
昨天，世界著名的半導體巨頭三星，宣佈瞭一條大新聞。基於3納米（nm）制程的芯片，正式量產瞭！在紙面參數上，可謂是實現瞭質的飛躍——性能猛提30%，功耗猛降50%，面積也減少瞭35%。來源：新智元中間三位大咖抱的可不是
0％，高則70-80％，與5nm工藝初期的水平類似。相比之下，三星3GAE的初期良率要低得多，估計在10-20％左右，而且一直沒有明顯改善，芯片質量也參差不齊。對於這樣的說法，韓國方面是絕對不服的。1月10日消息，根據韓國經濟日
好的能效，超過現有的 Snapdragon 8 Plus Gen 1，並且可能超過三星的 Exynos 2300。● 高通可能會考慮三星三星在量產 3nm 芯片的競賽中擊敗臺積電。這傢韓國制造商大約一個月前宣佈其 3nm GAA 技術，第一批預計將於 7 月 25 日開始交付