快科技6月24日消息，據媒體報道，三星可能創造半導體歷史上最大的玩笑。
近日分析師郭明錤稱，高通將成為三星Galaxy S25系列的獨傢SoC供應商，原因是三星自傢的Exynos 2500芯片良率低於預期而無法出貨。
這似乎佐證此前韓媒爆料的，三星在試生產Exynos 2500處理器時，最後統計出的良率為0%。
根據推算，三星在整個3nm項目中，投資高達共投資1160億美元（約合人民幣8420億），這還不包括後續兩座3nm工廠的建設費用。
這一結果對三星而言無疑是一次沉重打擊，其3nm工藝被寄予厚望，能夠提供更先進的制程技術和更有競爭力的價格。
然而，三星在3nm工藝上采用的GAA架構雖然理論上能提供更好的性能和更低的功耗，但在實際生產中卻遭遇良率問題。
與此同時，臺積電采用FinFET架構的3nm制程工廠產能利用率超過100%，獲得包括英偉達、蘋果、英特爾在內的大廠訂單。
今年，三星早早就宣佈投產3nm，然而，最早的客戶居然是一傢礦機芯片企業，據說三星電子的Exynos芯片要等到第二代才敢用。雖然在本周的媒體交流中，高通高管給韓國吃定心丸稱，自己不會把芯片全部交給臺積電代工，可對於
在追趕臺積電的路上，三星又有新動作。前些天，三星宣佈將其第二代3nm制程工藝的命名改為2nm，並已經將此消息通知客戶和合作夥伴。去年，有報道稱該公司將更改該制程的名稱，現在，得到三星官方的確認。三星稱，該制程
，在全球晶圓代工廠商中綜合實力最強的三傢：臺積電，三星，英特爾，其中的兩傢——三星和英特爾——都從IDM進入晶圓代工業，且投入力度越來越大。01發展策略各有不同對於臺積電、英特爾和三星這三大廠商來說，原來采
6月30日，正如之前外界傳聞的那樣，三星電子今天正式對外宣佈，其已開始大規模生產基於3nmGAA（Gate-all-around，環繞柵極）制程工藝技術的芯片，這也使得三星搶先臺積電成為瞭全球首傢量產3nm的晶圓代工企業。三星量產3nm GAA
0％，高則70-80％，與5nm工藝初期的水平類似。相比之下，三星3GAE的初期良率要低得多，估計在10-20％左右，而且一直沒有明顯改善，芯片質量也參差不齊。對於這樣的說法，韓國方面是絕對不服的。1月10日消息，根據韓國經濟日
時，6月初被美國總統拜登亞洲行接見後，緊接著，韓國三星電子副會長李在鎔又馬不停蹄奔赴歐洲，有報道指三星電子在阿斯麥獲得瞭十多臺EUV光刻機，並於本周起大規模生產3nm芯片，而2nm將於2025年量產。盡管量產2nm芯片依然
》正式名稱為（Restriction of Special Taxation Act）。該法案將三星電子和SK海力士等大公司的設施投資企業稅收減免從之前的6%提高到8%；中型企業和歸類為小型或中型的公司的稅收減免保持不變，分別為8%和16%。華爾街見聞此前提及
將提供可調節的通道寬度以獲得更高的性能或降低功耗。三星3nm，起個大早其實早在臺積電公佈3nm量產之前，三星早就宣佈已經實現3nm工藝的量產。2022年六月，三星宣佈已開始采用環柵 (GAA) 晶體管架構的 3 納米 (nm) 工藝節點的
有猜測認為，三星的新旗艦Galaxy S25系列可能會首次引入聯發科天璣平臺。原因有三：一是三星全新的3nm工藝太拉胯。雖然三星砸下血本，首次用上GAA晶體管，但結果慘不忍睹，制造自己傢的Exynos 2500處理器良品率還不到20％，根
在先進工藝競爭上，三星跟臺積電一直是領先的兩傢，而且這兩傢公司可謂一時瑜亮，三星最近10年被臺積電各種壓制，直到6月底的3nm工藝上三星終於搬回一局，搶先量產3nm，而且是GAA晶體管技術。相比之下，臺積電的3nm工藝還
行業消息來源稱，三星公司將在"VLSISymposium2024"（2024年超大規模集成電路研討會）上發表一篇論文，介紹在2納米（SF2）工藝中應用的第三代GAA特性。據報道，三星的2nm芯片將采用這種全柵極技術，因為該公司
三星最近開始向客戶交付首批3nmGAA芯片，但智能手機芯片供應商並沒有很快被其吸引，而是繼續與競爭對手臺積電接洽未來訂單。不過據半導體、移動與無線行業分析師SravanKundojjala在Twitter上所述，這一情況有望於2024年迎來轉變
訂單約15%，並將在年底把兩款旗艦移動芯片降價40%左右；三星亦在努力清庫存，以降低消費電子產品需求減弱對存儲芯片出貨量的影響。▲部分芯片價格從200元跌至20元（圖源：央視財經）存儲芯片巨頭們的資本支出都變得更加
5日消息，對於立志要在2030年成為全球半導體市場老大的三星來說，他們在內存及閃存上的競爭力沒有問題，但在邏輯芯片制造上大幅落後於臺積電，特別是先進工藝，為此三星希望在5年內超越臺積電。該公司高管表示，在4nm節