據湖北九峰山實驗室官微消息，九峰山實驗室、華中科技大學組成聯合研究團隊，支持華中科技大學團隊突破“雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠”技術。據介紹，該研究通過巧妙的化學結構設計，以兩種光敏單元構建“雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠”，最終得到光刻圖像形貌與線邊緣粗糙度優良、space圖案寬度值正態分佈標準差（SD）極小（約為0.05）、性能優於大多數商用光刻膠。
且光刻顯影各步驟所需時間完全符合半導體量產制造中對吞吐量和生產效率的需求。
作為半導體制造不可或缺的材料，光刻膠質量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關鍵因素。但光刻膠技術門檻高，市場上制程穩定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產品屈指可數。
當半導體制造節點進入到100nm甚至是10 nm以下，如何產生分辨率高且截面形貌優良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻制造的共性難題。
該研究成果有望為光刻制造的共性難題提供明確的方向，同時為EUV光刻膠的著力開發做技術儲備。
上述具有自主知識產權的光刻膠體系在產線上完整初步工藝驗證，並同步完成各項技術指標的檢測優化，實現從技術開發到成果轉化的全鏈條打通。
（即散粒噪聲以外的隨機性）帶來的擔憂，imec正在開發新型材料。例子是含金屬的光刻膠或單組分光刻膠。Imec 繼續幫助材料供應商開發新概念並評估污染風險和流程集成挑戰等關鍵問題。新型High NA EUV 抗蝕劑系統不能在孤立的
周三證實，新型光刻機已經首次將光線投射到晶圓之上，完成基本功能驗證，公司下一步將繼續測試和調整系統，以發揮出設備的全部性能。光刻系統使用聚焦光束來繪制計算機芯片的微小電路，而阿斯麥的高數值孔徑EUV工具預
4月19日消息，當地時間周四，美國芯片巨頭英特爾宣佈，已開始組裝阿斯麥（ASML）的高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻機，這是其超越競爭對手的重要一步。英特爾是首傢購買阿斯麥新一代光刻機的公司，這臺機器的售價
英特爾已經完成第一臺高數值孔徑（HighNA）極紫外光刻掃描儀的組裝，英特爾院士MarkPhillips（馬克·菲利普斯）討論進展和前景。TwinscanEXE:5000的供應商ASMLHoldingNV（荷蘭Veldhoven）必須完成掃描儀的集成和校準，該掃描儀位於俄勒
付首臺High-NA EUV光刻機做準備，大概會在明年某個時間點完成。雖然供應鏈問題仍可能打亂ASML的時間表，不過應該問題不大。High-NA EUV光刻機會比現有的EUV光刻機更為耗電，從1.5兆瓦增加到2兆瓦。主要原因是因為光源，High-NA使
鏈都很長，傳遞的速度相對較慢。ASML 全球高級副總裁、中國區總裁沈波在去年的一次媒體開放日也說過：相比產業鏈裡其他供應商，半導體設備的一個特點是供貨周期相對偏長。需求往下走的時候，我們差不多是最後一個感受
，使每個晶圓的 EUV 曝光達到 10 層。從報道中可以看到，新型號的EUV光刻機系統 NXE:3600D將能達到93%的可用性，這將讓其進一步接近DUV光刻機（95%的可用性）。數據顯示，NXE:3600D 系統每小時可生產 160 個晶圓 (wph)，速度為 30mJ/cm?
產線，顯然這將成為阻礙納米壓印推廣的一個因素。目前中國半導體產業正受到美日荷的多方圍堵，國內半導體制造商獲取先進的半導體制造設備受到限制，佳能的納米壓印設備或將為國內發展先進制程提供一條突破封鎖的新路
而受到審查。在美國向其盟友施壓，要求其限制技術流向中國之後，阿斯麥被禁止向中國客戶出口EUV系統。這給佳能上個月上市的新工具帶來希望。今年7月，日本擴大對芯片制造出口的限制，但沒有明確提到納米壓印光刻技術
內，由於難以引進尖端的半導體生產設備等因素，目前，中國大陸隻突破瞭先進封裝技術。而在晶圓代工部分，多傢龍頭企業已轉向成熟制程工藝（28nm及以上）制程，其中，SMIC最好的產品是14nm，華虹半導體最好的產品是200mm。
經違反禁令偷偷賣夜視鏡給伊拉克的荷蘭公司當過董事。中國公司的老對手美國外國投資委員會最終在收購協議上加一堆條件，其中包括不許收購SVG負責打磨鏡片的子公司Tinsley，以及保證各種技術和人才留在美國。這些條件反
的所有部分都可以並行運行，原來需要4萬個CPU系統才能完成的工作，現在僅需用500個NVIDIA DGX H100系統即可完成，這不僅大大加速目前每年消耗數百億CPU小時的大規模計算工作負載，而且降低耗電和對環境的影響。cuLitho在組件級
地說，多重曝光就是將芯片電路掩膜圖案的蝕刻分成多次完成，可以使用相對落後的技術和設備，達成和更先進工藝類似甚至更先進的結果，比如用7nm設備造出5nm芯片。其實，多重曝光也不是新鮮事物，半導體巨頭們都嘗試過，
進各項光刻指標，其中NA數值將超過0.7，預計在2030年左右完成。它表示，這種新型EUV光刻機適合制造邏輯處理器芯片，相比高NA雙重曝光成本更低，也可用來制造DRAM內存芯片。ASML已披露的數據顯示，低NA光刻機的成本至少1.83億