三星成為首傢進入3DDRAM時代的公司，計劃在十年內推出解決方案。在過去的幾個季度裡，DRAM行業有些沉寂，顯然，各公司都在忙於應對高庫存水平和低消費需求所帶來的嚴峻財務狀況。現在情況有所改善，重點終於轉移到下一代研發上，這一次，三星提出自己的3DDRAM實現方案，預計將在明年生效。
根據在網絡上曝光的內部演示幻燈片，DRAM 行業正在向 10 納米以下的壓縮線邁進。為打破現代 DRAM 技術創新的僵局，三星計劃推出兩種新方法，即垂直通道晶體管和堆疊式 DRAM，這兩種方法都涉及元件定位的差異，最終會減少器件面積的占用，從而確保更高的性能。
同樣，為提高內存容量，三星計劃利用堆疊 DRAM 概念，使公司能夠實現更高的存儲空間比，從而在未來將芯片容量提高到可能的 100 GB。
據預測，到 2028 年，3D DRAM 市場將增長到 1000 億美元。從目前來看，三星的發展相對較早，這可能意味著這傢韓國巨頭在未來將引領 DRAM 行業的發展。
步地取得進展，將推進大規模生產HBM3E。同時正處於開發下一代HBM4產品的正軌之上，提出在2026年推出"HBM4"的藍圖，其將擁有12層或16層D-RAM。SK海力士還透露，將把下一代後處理技術“混合鍵合”應用於HBM4產品。與現有的
D DRAM研發人員隊伍它在其半導體研究中心針對該技術成立下一代工藝開發團隊。
三星已宣佈開發出下一代HBM4內存，該內存將於2025年亮相，並具有一些強大的規格和功能。在這傢韓國半導體制造商的一篇博客文章中，三星再次重申其HBM4內存目前正在開發中，並將於2025年亮相。該公司目前的 HBM 產品組合包括
三星討論其計劃，即在未來十年內為其3DNAND技術實現五級單元的擴展，從而提供高達Petabytes級別的容量，盡管它們可能在十年後才出現。在今年的中國閃存市場峰會（CFMS2023）上，三星電子與美光、Kioxa、Arm、Solidigm、Phison等其他
三星公佈其下一代DRAM和內存解決方案的計劃，包括GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND。作為先進半導體技術的全球領導者，三星電子今天在2022年三星技術日上展示一系列尖端的半導體解決方案，這些解決方案將在十年內推動數字轉型。自
，存儲制造商加速HBM芯片的研發，混合鍵合一度成為實現下一代HBM（HBM4）中的重要技術。然而近日行業的風向似乎發生一些轉變，混合鍵合，是3D封裝的未來？還是曇花一現？下一代HBM棄用混合鍵合？在下一代的HBM芯片規劃中，
在DDR5內存剛成為主流不久，如今三星又已經率先開始下一代DDR6內存的早期開發，並預計在2024年之前完成設計。據悉，在近日召開的研討會上，三星負責測試和系統封裝（TSP）的副總裁透露，隨著未來內存本身性能的擴大，封裝
過10億美元，用於擴大和改進其芯片制造的最後步驟，前三星電子工程師、現任SKHynix封裝開發主管的LeeKang-Wook說。該工藝的創新是HBM作為最受歡迎的人工智能內存的核心優勢所在，進一步的進步將是降低功耗、提高性能和鞏固公
發展也遇到瓶頸，在20nm節點之後發展速度已經慢下來，三星在14nm節點就用上EUV光刻工藝，尋求進一步微縮。然而EUV光刻成本高昂不說，也沒法徹底改變內存芯片的技術難題，三星已經做到12nm工藝，再往後的內存工藝很難說，核
片代工領導者這一雄心壯志，進而助力英特爾未來成為“下一代AI芯片”制造領域的全球領軍人物。Global Equities表示，主要因英特爾擁有 18A、14A 和 10A 這些最先進芯片制程技術路線，對於英偉達、AMD等芯片巨頭未來更高性能的AI
存儲器產品都難以在該領域擊敗HBM，唯一的勝出者隻能是下一代HBM。HBM技術自2013年在半導體市場嶄露頭角以來，已擴展至第一代（HBM）、第二代（HBM2）、第三代（HBM2E），目前正步入第四代（HBM3）、第五代（HBM3E），而第六代
快科技10月17日消息，今天，三星電子內存業務負責人Lee Jung-Bae發表文章，稱三星已生產出基於其第九代V-NAND閃存產品的運行芯片，希望明年初可以實現量產。同時三星還正在開發行業內領先的11納米級DRAM芯片。該負責人還表示
X-DRAM投入生產還要靠合作，他們計劃尋找授權廠商，包括三星、SK海力士、美光、西數、鎧俠等等。
DCAI。DCAI在DCAI領域，英特爾曾公佈2022-2024年間即將發佈的下一代英特爾至強產品路線圖。圖源：英特爾按照技術，2022年第一季度，英特爾將交付采用Intel 7工藝的Sapphire Rapids處理器；Emerald Rapids計劃於2023年面市；Sierra Forest則基於