如今的內存市場上，不僅面臨著價格下滑的壓力，同時技術發展也遇到瓶頸，在20nm節點之後發展速度已經慢下來，三星在14nm節點就用上EUV光刻工藝，尋求進一步微縮。
然而EUV光刻成本高昂不說，也沒法徹底改變內存芯片的技術難題，三星已經做到12nm工藝，再往後的內存工藝很難說，核心原因還是傳統的2D DRAM內存技術快到極限，就跟CPU邏輯工藝情況類似。
後面怎麼辦？作為內存一哥，三星也早就在準備新的技術，那就是3D DRAM，類似閃存從2D到3D的轉變一樣，通過3D堆棧來進一步提高內存的存儲密度。
在這個新技術上，壟斷全球75%內存產能的三星、SK海力士及美光三傢公司都在積極研發，其中三星早在2021年就宣佈組建全新的團隊攻關新一代內存技術。
SK海力士也有類似的計劃，而且他們計劃在明年公佈3D DRAM技術的進展，這個領域目前還沒有哪傢公司是絕對的領先，因此搶先公佈可以贏得更多機會。
不過3D DRAM內存現在還在研發階段，距離真正量產還要很久，至少三四年後才會有產品問世。
3%，創歷史最高在行業復蘇的背景下，三星電子憑借其在內存芯片市場的領先地位，實現營業利潤的暴漲，為行業帶來強烈的震動。4月5日，三星電子表示，隨著芯片價格反彈，預計第一季度營業利潤將增長931%。（三星將於4月30
中，NAND閃存已經進入3D時代，容量比2D時代大幅提升，DRAM內存還停留在2D，現在美國NEO半導體公司日前宣佈全球首款3D內存，旨在解決內存容量瓶頸，容量追上SSD不是問題。NEO是美國一傢存儲芯片技術公司，此前推出的3D X-NAND閃
回歸，未來行業細分龍頭有望迎來業績修復機會，看好國內存儲產業鏈周期復蘇疊加本土化趨勢下的投資機遇。信達證券亦表明，伴隨原廠維持縮減產出和惜售的供給策略，以及需求端逐步好轉，存儲價格漲勢或將延續至明年上
HBM 的實際客戶。據稱，三星電子、SK海力士、美光三大內存公司從供應商的角度堅持775微米。但由於部分參會企業表達不同意見，第一輪磋商最終沒有得出明確結論。目前，業界正在等待第二次咨詢。不過，圍繞HBM4的封裝生態
據報道，三星推出一款名為CXL分層內存混合內存模塊(CMM-HTM：CXLMemoryModule-HybridforTieredMemory)的新型ComputeExpressLink(CXL)附加卡，該卡添加可由CPU和加速器遠程訪問的額外RAM和閃存。該擴展卡混合高速DRAM和NAND閃存，旨在提供一種經濟
聚許多有利因素，比如可用資本更多，技術持續改進，該行業有望在2023年迎來大爆發。在11月份舉行的聯合國氣候大會上，美國能源部長詹妮弗·格蘭霍姆（JenniferGranholm）簽署一份不具法律約束力的諒解備忘錄，旨在幫助中型和
在DDR5內存剛成為主流不久，如今三星又已經率先開始下一代DDR6內存的早期開發，並預計在2024年之前完成設計。據悉，在近日召開的研討會上，三星負責測試和系統封裝（TSP）的副總裁透露，隨著未來內存本身性能的擴大，封裝
息，業內消息人士稱，存儲廠商近期嚴格控制出貨，下遊內存模塊廠幾乎搶不到貨，NAND晶圓的報價頻率從此前的逐季報價，縮短至如今的逐日報價。在過去的3-4年間，內存行業報價模式基本穩定，合約價均以季度為單位來敲定
指出，由於需求疲軟，加上廠商與客戶端的高庫存水位，內存供應鏈將面臨巨大的去庫存壓力，造成下半年價格將進一步下跌，且嚴重程度將大過市場預期。（校對/黎雯靜）
全球最大的兩傢內存芯片制造商近期的業績電話會議似乎傳達一個信號，該行業的疲軟需求可能終於觸底。“三星電子第三季的營業利潤比第二季度增長262.6%。在此之前，一季度的營業利潤比前一季度下降85.15%，二季度的營業利
被大多PC廠商視做“AI PC元年”，AI PC 運行本地大模型對內存需求提升，更高的內存傳輸速率和更大的內存空間。據悉，AI PC DRAM容量是普通PC的2倍左右。前段時間，高通、AMD、英特爾接連發佈具備AI性能的處理器，加之2025年微軟
最新財報直接指出存儲市場已遇冷。自今年二季度以來，內存價格就在迅速下跌，TrendForce數據顯示，今年二季度DRAM平均合同價格同比下跌10.6%，為2年來首降。當然，不止內存，閃存的價格在下降，集邦咨詢預測三季度NAND平均合
包括車用、工控、網通等在內部分產品市況熱度降溫，而內存往往比其他半導體部件更以消費者為中心，因此更容易受到消費者支出下降的影響，供應鏈來不及反應，致使庫存大幅增長，隨之而來的就是存儲產品報價崩跌，NAND F
快科技8月22日消息，DRAM內存價格已經跌1年多，三星等內存芯片巨頭原本預期今年下半年止跌反彈，然而現實開個玩笑，3季度內存價格跌幅還超過預期，今年都漲不上去。來自行業分析師侯賽尼的消息稱，在他跟存儲芯片行業人