三星討論其計劃，即在未來十年內為其3DNAND技術實現五級單元的擴展，從而提供高達Petabytes級別的容量，盡管它們可能在十年後才出現。在今年的中國閃存市場峰會（CFMS2023）上，三星電子與美光、Kioxa、Arm、Solidigm、Phison等其他知名閃存公司一起出席。三星電子與觀眾討論"閃存的再進化和邁向新時代"的話題。
這次討論強調該公司的高級內存容量的能力，以及通過其3D NAND閃存達到如此高容量的困難。
三星電子NAND產品規劃部副總經理Kyungryun Kim解釋說，三個層次的技術--物理擴展、邏輯擴展和封裝技術--不僅在不斷發展，而且理論上能夠達到1PB，即1024TB的容量。然而，按照當今的技術標準，該公司在十年內不會實現這一目標。此外，該公司正在尋求將四級單元技術用於更多的存儲設備，並專註於使該技術更加靈巧。
在討論達到五級容量的進化途徑時，該公司還展示PM1743系列PCIe 5.0固態硬盤（SSD）。新的PM1743系列比以前的型號能效高達百分之四十，並且經過測試，與英特爾和AMD的PCIe Gen 5平臺兼容。
三星在討論其技術進步時總是有些沉默，特別是有關3D NAND存儲器領域。該公司正在繼續尋找將四級單元3D NAND設備以更廣泛的采用率推向公眾的方法。三星認為，專註於更新的控制器技術將達到這些目標。目前，該公司在物理上對3D NAND設備進行縮放。然而，該公司將需要研究邏輯縮放，以使存儲設備的訪問量超過一千層。邏輯擴展將允許提升每個單元內存儲的信息位數。
雖然該公司對其技術一直保持沉默，但其競爭對手Kioxia的發展卻更加透明。該公司在2019年推出五級單元的3D NAND存儲器，每單元可存儲5比特（5 bpc）。兩年後，Kioxia突破5 bpc的技術，達到6 bpc。該公司表示，他們還在研究是否能推進到8個bpc，創造一個八級單元的3D NAND存儲器設備。目前，該公司還遠遠沒有達到這樣的長度。
每單元存儲多個比特，給許多3D NAND制造商帶來許多挑戰。確定能夠存儲各種電壓狀態的材料，同時還能區分它們以防止幹擾，是所有公司目前都在努力克服的這樣一個障礙。此外，他們還需要開發糾錯技術，以便在每單元的比特數增加時保持數據的完整性。