TrendForce報告稱,由於HBM的高平均售價和盈利能力,內存領域發生大量資本投資。高級副總裁AvrilWu指出,到2024年底,DRAM行業預計將分配約250K/m(14%)的總產能用於生產HBMTSV,預計年度供應位增長約為260%。此外,HBM在DRAM行業的收入份額(2023年約為8.4%)預計到2024年底將增至20.1%。
Wu解釋說,就HBM和DDR5的生產差異而言,HBM的裸片尺寸通常比相同工藝和容量的DDR5大35-45%(例如,24Gb與24Gb相比)。 HBM的良率(包括TSV封裝)比DDR5大約低20-30%,生產周期(包括TSV)比DDR5長1.5到2個月。
由於 HBM 從晶圓開始到最終封裝的生產周期較長,需要兩個季度以上,因此渴望充足供應的買傢需要提前鎖定訂單。
TrendForce獲悉,2024年大部分訂單已提交給供應商,除非驗證失敗,否則不可取消。三星和 SK hynix 的 HBM 生產計劃在今年年底前最為激進。預計到年底,三星的HBM總產能將達到13萬片左右(包括TSV);SK hynix約為12萬片,但產能可能會根據驗證進度和客戶訂單而變化。
關於目前主流 HBM3 產品的市場份額,SK hynix 占據 HBM3 市場 90% 以上的份額,而隨著 AMD 的 MI300 在未來幾個季度的逐步發佈,三星預計將緊隨其後。