美光科技公司今天宣佈，為應對市場狀況，公司將調整DRAM和NAND晶圓的開工率，相比2022財年第四季度減少約20%，這些減產工作將在美光擁有有意義產出的所有技術節點上進行。
美光還在努力實現更多的資本支出削減。在2023年，美光現在預計其DRAM的比特供應量同比將出現負增長，而NAND的比特供應量同比將出現個位數的增長。
美光表示，2023日歷年的市場前景已經減弱，供應鏈的總庫存大幅提高，美光認為，在2023日歷年中，DRAM位供應量的同比增長需要縮減，NAND位供應量的增長需要大大低於之前的估計。
"美光正在采取大膽而積極的措施來減少比特供應增長，以限制我們的庫存規模。我們將繼續監測行業狀況，並根據需要做出進一步調整，"美光總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra說。"盡管有近期的周期性挑戰，我們仍然對我們市場的世俗需求驅動力充滿信心，從長遠來看，預計內存和存儲收入的增長將超過半導體行業的其他部分。"
示，主要原因是智能手機的銷售放緩以及存儲芯片價格的進一步下跌和庫存資產的估值損失。但是，三星並未因此決定對存儲芯片進行減產，僅表示將2023年的半導體設備投資 (CAPEX) 同比減少18%至約32萬億韓元。目前存儲芯片市場
正式降低產能利用率計劃的主要內存廠商。鎧俠也緊隨美光宣佈，自 10 月起將 NAND Flash 產能利用率降低 30%。DRAM方面，目前合約定價仍高於各主流供應商的總生產成本。因此，與NAND Flash相比，是否會出現大幅減產還有待觀察。
DRAM是一種用於處理數據的存儲器，預計本季度其價格將進一步下降約10%。需要指出的是，DRAM價格已經在今年一季度下降約20%，去年四季度的價格降幅更是達30%。《每日經濟新聞》記者註意到，三星電子的一季度初步業績發佈之
的利用率將恢復到90%左右，具體取決於需求。3月27日，美光宣佈其位於西安的封裝和測試新廠房破土動工。新廠房預計將於2025年下半年投產，後續根據市場需求逐步投產，落成後，西安工廠總面積將超過13.2萬平方米。美光於2023
加上SK海力士、美光等同行已相繼宣佈減產，三星也考慮采取行動，減少資本支出和產量，以應對存儲器價格下跌造成的供應過剩。花旗最新報告指出，三星通過減少投資，調整芯片供應的可能性正在增加，原因是存儲器價格下
光科技也加快追趕兩傢韓國存儲巨頭的步伐。前不久，美光宣佈已開始量產其HBM3E高帶寬內存解決方案。英偉達H200 TensorCore GPU將采用美光8層堆疊的24GB容量HBM3E內存，並於2024年第二季度開始出貨。美光利用其1β技術、先進的TSV工
幅20%以上，最高漲幅高達66%。為何三星有底氣強勢漲價？減產或許是原因之一。在10月31日的財報會議上，三星執行副總裁Kim Jae-joon直言，“三星接下來的減產行動，將比目前DRAM縮減產出的規模更大。”業內人士指出，目前NAND芯
漲價潮主要包括以下原因：供應方面，三星擴大減產、美光宣佈20%的漲幅等，持續奠定同業漲價信心的基礎。需求方面，2023下半年移動DRAM（內存）及NAND Flash閃存（eMMC、UFS）除受傳統旺季帶動，華為Mate 60系列等也刺激其他中國
為讓存儲價格繼續上漲，三星會進一步減產，這勢必會對行業帶來更大的影響。報道中提到，三星電子計劃到明年上半年為止，將NAND生產量削減規模擴大40%-50%，此舉推高NAND價格。從今年9月起，三星已將NANDFlash快閃存儲的減產
提高平澤工廠的開工率。三星NAND利用率的提升證明其在減產方面的表現。由於NAND供應過剩，三星從去年第一季度開始減產。據解讀，當前庫存很大一部分已經耗盡，供需已經平衡。另一位業內人士表示，“我們的一些客戶還有
美光科技公司今天宣佈全球首款176層的NANDSATASSD--5400已開始出貨，主要服務於數據中心工作負載。美光5400SATASSD是最先進的數據中心SATASSD，建立在在經過驗證的第11代SATA架構上，能夠實現廣泛的使用案例，提供明顯優於傳統硬盤
潤來源。在需求下滑、價格下滑時，產品制造商通常會削減產量，以降低庫存壓力，改善供求狀況進而穩定價格，但在存儲芯片需求下滑的情況下，三星電子並不打算削減產量。三星電子不打算削減產量，是他們的執行副總裁兼
造商警告稱，由於庫存增加，在個人電腦和智能手機需求進一步疲軟後，數據中心和消費科技客戶的訂單正在減少，他們面臨著更加嚴峻的市場形勢。美光和Kioxia正在削減產量，試圖重新恢復平衡供應，避免價格暴跌。彭博情報
今年早些時候，美國半導體廠商美光科技公司對於全球個人電腦和智能手機芯片需求的下滑發出預警，美光也是行業內第一個這樣做的半導體廠商。當地時間周四，美光科技在發佈財報時再次表態，表示未來的存儲芯片需求和公