三星仍需解決3nm工藝良品率問題 目前在50%附近徘徊


近年來,良品率一直是三星晶圓代工業務所要面對的最大問題。特別是在3nm制程節點上,三星率先引入全新的下一代GAA(Gate-All-Around)架構晶體管技術,與以往使用的FinFET晶體管技術有著較大的區別,也使得良品率問題進一步放大。

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三星目前3nm工藝的良品率在“50%附近”徘徊,在良品率方面依然有一些問題需要解決。不過這次的消息裡,沒有具體說明到底是初代的3nm GAA / 3GAE,還是已經試產、且今年即將量產的第二代3GAP。三星去年曾表示,其3nm工藝量產後的良品率已達到60%以上,不過現在看來,似乎有點過於樂觀。

有行業分析師表示,三星GAA流程方法尚未穩定,這多少能解釋為什麼良品率一直都上不去。不過在4nm工藝上,三星的表現明顯更好,良品率已提升至75%,過去一系列的努力終於有回報。對於谷歌來說也是個好消息,畢竟今年用於新款Pixel 9系列旗艦智能手機的Tensor G4將采用4LPP+工藝制造。

如果三星想要在未來與臺積電(TSMC)甚至英特爾代工服務競爭,必須要提升良品率。三星對明年的Exynos 2500寄予厚望,被認為是其SoC設計的翻身之作,計劃采用3nm工藝制造,如果良品率問題得不到解決,很難想象如何與高通及聯發科的同類產品抗衡。


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