快科技11月6日消息，近日佳能CEO禦手洗富士夫在接受受訪時表示，該公司基於NIL的新型芯片制造設備售價將比ASML的EUV少一位數。
目前，極紫外光刻機（EUV）的唯一供應商就是ASML，EUV對於大規模生產速度快、能耗低的芯片至關重要，但每臺機器的售價高達數億美元，隻有少數公司才有能力購買。
為此，從2017年開始，佳能就與鎧俠，以及半導體零組件制造商大日本印刷株式會社（DNP）合作，研發基於納米壓印(NIL)的量產技術，在不使用EUV的情況下將制程技術推進到5nm。
佳能表示，這套生產設備的工作原理和ASML光刻機不同，並不利用光學圖像投影的原理將集成電路的微觀結構轉移到矽晶圓上，而是更類似於印刷技術，直接通過壓印形成圖案。
鎧俠曾經表示，由於NIL技術的微影制程較為單純，因此相比於EUV可以大幅減少耗能，並降低設備成本。
禦手洗富士夫還表示:我不認為納米壓印技術會取代EUV，但我相信這將創造新的機會和需求，而且我們已經收到很多客戶的咨詢。”
同時其還表示，最終的定價目前還沒有敲定，但希望這是一個完全的驚喜。
11月6日消息，據彭博社報道，佳能公司正計劃將其新的基於“納米壓印”技術的芯片制造設備的價格定為ASML的EUV光刻機的1/10。由於該設備可以用於制造5nm尖端制程芯片，且不是基於光學技術，或將成為中國繞過美國限制來制造
2023年10月，日本光刻機大廠佳能（Canon）正式發佈基於納米壓印技術（NIL）的芯片制造設備FPA-1200NZ2C，預計為小型半導體制造商在生產先進制程芯片方面開辟出一條全新的路徑。近日，佳能負責新型納米壓印設備開發的高管武石
佳能計劃將其新型芯片制造設備的定價定在阿斯麥最佳光刻機成本的一小部分，尋求在尖端設備領域取得進展。佳能此前推出納米壓印半導體制造系統，試圖通過將該技術定位為比現有最先進工具更簡便、更易獲取的替代方案，
傢公司有做過一點點相關設備。60年代末，日本的尼康和佳能開始進入這個領域，畢竟當時的光刻不比照相機復雜。70年代初，光刻機技術更多集中在如何保證十個甚至更多個掩膜版精準地套刻在一起。Kasper儀器公司首先推出接
近日，一則美國制造出0.7納米芯片的芯片在筆者的朋友圈傳播。與此同時傳播的新還有類似繞開EUV光刻機、美國打造全球分辨率最高光刻系統。這究竟是個什麼新聞？從現階段看EUV光刻機會是怎樣的一個未來？讓我們來還原以下
，10億一臺的價格都供不應求，而傳統的光刻機大廠日本佳能、尼康已經被甩開，不過尼康已經制定策略，重點放在3D光刻機上。據報道，日本尼康公司提出新的目標，希望2025財年（2025年3月到2026年3月）期間，尼康的光刻機銷量
得去找東芝。因此，在Stepper和Scanner的時代，日本尼康和佳能背靠著日本優勢的精密儀器產業，加上兩傢本身在光學上就是世界一流，迅速打垮美系那些傻大黑粗。但隨著摩爾定律的進展，芯片尺寸越來越小曝光多達幾十層，對
承包，而今年計劃生產的五套設備也將全部運給這傢美國芯片制造商。按照消息人士的說法，由於上述EUV設備產能每年約為5到6臺，這意味著英特爾將獲得所有初始庫存。這也導致，英特爾的競爭對手三星和 SK 海力士預計將在明
發佈 3800E 產品頁面。而前一個型號--Twinscan NXE:3600D 支持3納米和5納米的 EUV 量產。ASML 的路線圖表明，Twinscan NXE:3800E 是為生產 2 納米和 3 納米級技術的芯片而設計的。該公司最先進的高納極致紫外線（EUV）芯片制造工具（High NA Tw
回擊SemiAnalysis分析師的批評，分析師認為，至少對於一些芯片制造商來說，使用該公司的下一代High-NA（高數值孔徑）光刻設備在財務上意義不大。在最近接受BitsandChips采訪時，ASML首席財務官表示，High-NA正在走上正軌且健康，該
本企業市占率較高、較低的設備。最後，指出日本半導體生產設備產業的問題點。先說結論（同時也是問題點）：就市場規模較大的前段工序設備而言，日本企業市占率較低；日本整體的前段工序設備市占率不高。莫非日本的半
先進的高數值孔徑極紫外（high-NAEUV）光刻機，用於生產納米片晶體管（GAAFET）架構的2nm（N2）芯片，預計在2025年量產。與此同時，6月初被美國總統拜登亞洲行接見後，緊接著，韓國三星電子副會長李在鎔又馬不停蹄奔赴歐洲，
光刻膠。據報道，這種光刻膠使用入射光子來分解氧化錫納米團簇（ tin-oxide nanoclusters）。氧化物簇（oxide clusters ）可溶於顯影劑中，而金屬錫則不溶這些是負性光刻膠。曝光使材料不溶。金屬氧化物本質上更耐蝕刻並吸收更多
NXE:3600D，性能有進一步的提高，可以支持未來幾年3nm及2nm芯片的制造。在ASML看來，Twinscan NXE:3800E代表Low-NA EUV光刻技術在性能（每小時處理的晶圓數量）和精度方面的又一次飛躍。新的光刻設備可實現每小時處理195片晶圓的處理