三星在6月底啟動其3nm芯片生產線，並開始在新的3nmGAA制造工藝上為比特幣礦工生產芯片組。雖然三星最終還是會使用3nm制程工藝來生產智能手機芯片組，但目前的試運行還是為比特幣礦工提供芯片。
最近，三星Foundry總裁Siyoung Choi博士發佈一份新報告。報告內容顯示，三星基於3nm打造的采礦芯片組，比之前生產的芯片組大約節能23- 45%。市場觀察人士估計，在3nm制程工藝下，芯片的能源消耗會減少不少，可能會大幅減少與比特幣挖礦相關的碳排放。
除討論改用3nm制造後的能源收益外，Siyoung Choi博士還談到三星代工的未來，具體來說是2nm制程工藝。他表示，在未來幾年內，3nm制造技術仍將處於領先地位。3nm之後是2nm，三星代工公司應該能在2025年底生產2nm節點的芯片組。換句話說，這與該公司此前發佈的計劃內容相比並沒有改變。
三星代工的競爭對手臺積電希望在2022年下半年開始大規模生產3nm級芯片。和三星一樣，臺積電的目標也是2025年生產2nm芯片。
將提供可調節的通道寬度以獲得更高的性能或降低功耗。三星3nm，起個大早其實早在臺積電公佈3nm量產之前，三星早就宣佈已經實現3nm工藝的量產。2022年六月，三星宣佈已開始采用環柵 (GAA) 晶體管架構的 3 納米 (nm) 工藝節點的
7月25日（本周一），韓國電子巨頭三星開始如約向客戶交付其首批3nmGAA環柵晶體管工藝芯片。與此同時，為紀念這一具有裡程碑意義的時刻，該公司還專門舉辦一場慶祝活動。由官網新聞稿可知，本次儀式選在京畿道華城園區。
積電過去幾年在7nm、5nm、4nm等先進工藝上占盡優勢，但是三星一直在努力追趕，3nm節點將成為三星的一次關鍵，韓國媒體稱三星將在下周宣佈3nm工藝量產，進度將領先臺積電。據韓聯社消息，接近三星的消息人士稱，三星計劃在
作為全球半導體技術的領導者，三星電子剛剛宣佈，其已開始用3nm工藝節點來制造GAA環柵晶體管芯片。可知與5nm工藝相比，優化後的3nm工藝可在收縮16%面積的同時，降低45%的功耗並提升23%的性能。（來自：Samsung Newsroom）據悉，
昨天，世界著名的半導體巨頭三星，宣佈瞭一條大新聞。基於3納米（nm）制程的芯片，正式量產瞭！在紙面參數上，可謂是實現瞭質的飛躍——性能猛提30%，功耗猛降50%，面積也減少瞭35%。來源：新智元中間三位大咖抱的可不是
三星將正式宣告在芯片制程技術領域擊敗臺積電，將其3納米GAA芯片技術推向市場，預計第一批GAA芯片將於7月25日交付。遺憾的是，至少在目前，沒有智能手機芯片供應商將利用下一代制造工藝的優勢。據報道，三星將提供第一
最近媒體鋪天蓋地報道三星的3nm將要投產，而且是劃時代的GAA（環繞柵極）晶體管。“到底是騾子是馬”還不好下判斷，也許是4nm翻車讓三星痛定思痛，加快瞭進度；也有可能是公關障眼法。在TheElec最新報道提到，三星最快本
啟3nmFinFET生產，但GAA芯片要到2025年推出。目前尚不清楚三星 3nm GAA 會從臺積電那邊挖來多少客戶，但從紙面參數來看，其較 5nm 工藝的升級迭代還是相當亮眼的。對於移動設備來說，環柵晶體管將帶來能效的顯著提升和尺寸縮進
6月28日，據韓國日報消息，三星將在6月30日宣佈量產3nm工藝，此舉也意味著三星在新一代工藝節點上彎道超車臺積電，後者預計今年下半年才會量產3nm工藝。3nm工藝的具體詳情還沒公佈，但是之前導致三星被質疑的良率問題應該
6月30日，正如之前外界傳聞的那樣，三星電子今天正式對外宣佈，其已開始大規模生產基於3nmGAA（Gate-all-around，環繞柵極）制程工藝技術的芯片，這也使得三星搶先臺積電成為瞭全球首傢量產3nm的晶圓代工企業。三星量產3nm GAA
近期三星電子宣佈,基於3納米（nm）全環繞柵極(Gate-All-AroundT,簡稱GAA)制程工藝節點的芯片已經開始初步生產。而另外一邊的臺積電的3nm（N3）官方量產時間預計是在2022年下半年。這樣看起來三星似乎在3nm這個工藝節點上超過臺積
作為三星第一季度財報的一部分，該公司概述其代工部門今年下半年的一些主要計劃。該公司已確認，它仍將如期實現在今年下半年開始量產采用其SF3（3納米級，第二代）技術的芯片的目標。與此同時，三星晶圓代工廠將於6月
的需求，導致芯片價格一路飆升，狂漲數十倍。臺積電和三星作為目前全球排名前二的芯片代工廠，更是在這兩年中賺得盆滿缽滿，哪怕臺積電不斷提高芯片代工價格，訂單還是接到手軟。特別是下半年3nm工藝量產，更是可能給
訂單一事備受熱議，這被視為3nm工藝的一次打擊，不過對三星來說這倒是好事，韓國媒體爆料稱三星的3nm客戶量已經翻倍，現在有第二傢廠商在用。三星在6月30日宣佈全球首發量產3nm工藝，並在7月底出貨，他們的3nm首傢客戶是