最近媒體鋪天蓋地報道三星的3nm將要投產,而且是劃時代的GAA(環繞柵極)晶體管。“到底是騾子是馬”還不好下判斷,也許是4nm翻車讓三星痛定思痛,加快瞭進度;也有可能是公關障眼法。在TheElec最新報道提到,三星最快本周開始試產3nm工藝,第一個客戶來自中國礦機芯片廠商,名為PanSemi。
這似乎表明,PanSemi資金雄厚且膽子挺大,畢竟三星3nm初期產能很低。
企查查工商信息顯示,PanSemi實為上海磐矽半導體技術有限公司,2016年才成立,實繳註冊資本4500萬。遺憾的是,該公司其它資料不多,官網十分簡陋,公佈的企業參保人數也僅有3人。
回到3nm本身,按照三星的說法,與7nm制造工藝相比,3nm GAA技術的邏輯面積效率提高瞭45%以上,功耗降低瞭50%,性能提高瞭約35%。相較於目前應用在5nm、7nm上最先進成熟的FinFET晶體管,GAA可以更精確地控制電流、柵極寬度也更窄。