臺積電突然對外公佈16nm FinFET技術，是不是有點意外？據悉，臺積電官網宣佈推出大學FinFET專案，目的在於培育未來半導體芯片設計人才並推動全球學術創新。
此專案開放大學院校師生與學術研究人員使用業界最成功的鰭式場效應晶體管（FinFET）技術之制程設計套件 (PDK)，將其芯片設計學習經驗提升至先進的 16nm FinFET 技術。
按照官方的描述來看，這次開放的技術，是以臺積電N16制程為主的教學用設計套件，包括教育設計案例、訓練資料、以及教學影片，引領學生從傳統平面式晶體管結構進入到鰭式場效應晶體管結構。
針對具有影響力的研究項目，包括應用於邏輯、類比與射頻的研究設計，臺積電提供N16和N7制程設計相關套件，支持通過MPW服務生產的測試芯片。
據悉，臺積電設計生態系統服務夥伴已準備就緒和參與大學FinFET專案的學者建立聯系。
據semiwiki報道，在最近的VLSI技術與電路研討會上，臺積電研發高級副總裁YJMii博士發表題為“SemiconductorInnovations,fromDevicetoSystem”的演講。該演示文稿提供對臺積電未來研發計劃的見解，超越當前的路線圖。還強調正在研究的技術
und，環繞柵極）制程工藝技術的芯片，這也使得三星搶先臺積電成為瞭全球首傢量產3nm的晶圓代工企業。三星量產3nm GAA制程，上海磐矽為首批客戶2021年6月，三星就率先宣佈其基於GAA技術的3nm制程成已成功流片（Tape Out）。隨後
就會增加一倍），直到現在還保有頑強生命力。7月14日，臺積電在投資者會議上表示，2納米制程將在2024年試產，2025年量產。與3納米制程芯片相比，相同功耗下，2納米芯片速度可以增加10%-15%；相同速度下，功耗可以降低25%-30%
讓用戶乖乖掏錢。隨著AMD的銳龍處理器橫空出世，並且由臺積電代工制作，憑借制程工藝+架構的雙重優勢，AMD在處理器市場中上演一次驚天逆襲，短短3年時間就搶占大量的市場份額。回過味的英特爾從2019年開始加大制程工藝的
在追趕臺積電的路上，三星又有新動作。前些天，三星宣佈將其第二代3nm制程工藝的命名改為2nm，並已經將此消息通知客戶和合作夥伴。去年，有報道稱該公司將更改該制程的名稱，現在，得到三星官方的確認。三星稱，該制程
據消息人士透露，臺積電將與博世以及其他兩傢與汽車行業相關的歐洲公司合作，共同為前者將於德國建設的晶圓工廠提供資金，據報道，該工廠的目標是28納米的特殊工藝技術。盡管傳統節點無疑將解決制約德國汽車業的芯片
近期，2nm等先進芯片發展備受行業關註。6月17日臺積電舉行的技術論壇上，晶圓代工龍頭臺積電（TSMC）首次披露，到2024年，臺積電將擁有阿斯麥（ASML）最先進的高數值孔徑極紫外（high-NAEUV）光刻機，用於生產納米片晶體管（GA
在充滿活力且競爭激烈的半導體技術領域，臺積電（NYSE：TSM）屹立不倒，以其先進的芯片制造節點樹立新標準。臺積電在開發和部署最先進的3納米和5納米技術方面的戰略策略鞏固其市場主導地位，並顯著提高其晶圓收入。這一
成瞭 唯一一個第一季度收入下降的公司……看著上頭的臺積電，羨慕的臉都要綠瞭。所以說，當年這能造相機，能造手機，能做系統，也能做芯片的三星，這幾年到底遭瞭什麼降頭？手機行業吃瞭鱉，面板行業被國內廠商逐漸
臺積電9月份將量產3nm工藝，這一代還會繼續使用FinFET晶體管，2025年量產的全新一代2nm工藝才會用上GAA晶體管技術，他們也會使用美國廠商的EDA技術，而且依賴性很高。據悉，EDA電子設計自動化在半導體行業並不是一個價值很高
AA)制程工藝節點的芯片已經開始初步生產。而另外一邊的臺積電的3nm（N3）官方量產時間預計是在2022年下半年。這樣看起來三星似乎在3nm這個工藝節點上超過臺積電，那麼三星的3nm技術真的超過臺積電嗎？工藝名稱隻是個名字在
到三星這麼能搞。雖然當時都是5納米工藝，但是三星和臺積電的5納米可差得太多瞭。數據顯示，三星5納米的晶體管密度每平方毫米隻有127萬個晶體管，而臺積電達到瞭173萬個。差瞭46%。說來好笑，“大火龍”用起來熱的把CPU都
英偉達，市值已經超過2萬億美元，火爆異常，另一個是臺積電，在2022和2023年，英偉達股價暴漲之前，臺積電的市值是半導體企業裡最高的，一度超過7000億美元，後來有所下滑，但現在又恢復到7000億美元以上。英偉達和臺積電
營，如今英特爾正式劃清界限，英特爾代工也將更加直面臺積電、三星的競爭壓力。而通過將代工業務獨立核算，英特爾能夠更清晰地展示其在半導體制造領域的競爭力和盈利能力，同時也能夠更好地與業界進行業績對照，推動