三星宣佈五年發展規劃:2027年實現1.4納米工藝量產


三星電子於10月3日在美國加州矽谷召開的“三星晶圓代工論壇&SAFE論壇”上,宣佈一個非常激進的五年發展規劃,目標是在2027年實現1.4納米工藝量產,並憑借著先進技術吸引美國芯片買傢。

在本次論壇上三星電子高級副總裁 Moonsu Kang 表示,公司的芯片代工部門(即代工廠)希望在 2027 年將業務營收做到 2021 年的 3 倍。為實現這一目標,該業務將需要取得多項技術飛躍,並在美國外包芯片市場取得進展。

按收入計算,三星是全球最大的芯片制造商,但其代工業務正在追趕臺積電,臺積電在市場上處於領先地位,生產能力一流。三星最近從臺積電爭奪到英偉達公司的訂單。在訂單上,RTX 40 被擊敗以生產一系列圖形卡,這些圖形卡以 4 納米工藝運行。

三星高管在簡報會上表示,該公司的產量——每件產品中工作芯片的百分比——現在是業內最好的之一。它正在競相保持在技術的前沿。該公司的目標是在 2024 年開始量產第二代 3 納米芯片,然後在 2025 年開始量產 2 納米芯片,從而引領先進芯片制造的發展。這將為兩年後的 1.4 納米產品奠定基礎。

三星向美國客戶推銷的部分內容是其在美國制造的決定。三星在得克薩斯州奧斯汀擁有一傢現有工廠,並正在附近的泰勒市建造一傢。該新工廠將於 2024 年開始運營,可能會使用最新的生產方法,例如 3 納米技術。


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