三星4nm工藝良率逼近臺積電：開始提供MPW服務

據外媒報道，三星將從2023年上半年開始大規模量產第三代4nm芯片，以奪回部分失去的客戶。據報道，該公司面臨的最大問題之一是良率問題，該問題導致其最大的客戶高通被臺積電搶走。外媒報道稱，高通不僅在驍龍8+ Gen 1的代

在追趕臺積電的路上，三星又有新動作。前些天，三星宣佈將其第二代3nm制程工藝的命名改為2nm，並已經將此消息通知客戶和合作夥伴。去年，有報道稱該公司將更改該制程的名稱，現在，得到三星官方的確認。三星稱，該制程

6月28日，據韓國日報消息，三星將在6月30日宣佈量產3nm工藝，此舉也意味著三星在新一代工藝節點上彎道超車臺積電，後者預計今年下半年才會量產3nm工藝。3nm工藝的具體詳情還沒公佈，但是之前導致三星被質疑的良率問題應該

電在去年12月29日宣佈3nm良率，CEO劉德音提到，相比於5nm工藝，3nm工藝的邏輯密度將增加60%，相同速度下功耗降低30-35%，這將是最先進的工藝。臺積電3nm良率傳出一些雜音，稱第一代的N3工藝良率不足50%，而且投片量也非常少，隻

，在全球晶圓代工廠商中綜合實力最強的三傢：臺積電，三星，英特爾，其中的兩傢——三星和英特爾——都從IDM進入晶圓代工業，且投入力度越來越大。01發展策略各有不同對於臺積電、英特爾和三星這三大廠商來說，原來采

5日消息，對於立志要在2030年成為全球半導體市場老大的三星來說，他們在內存及閃存上的競爭力沒有問題，但在邏輯芯片制造上大幅落後於臺積電，特別是先進工藝，為此三星希望在5年內超越臺積電。該公司高管表示，在4nm節

昨天，世界著名的半導體巨頭三星，宣佈瞭一條大新聞。基於3納米（nm）制程的芯片，正式量產瞭！在紙面參數上，可謂是實現瞭質的飛躍——性能猛提30%，功耗猛降50%，面積也減少瞭35%。來源：新智元中間三位大咖抱的可不是

6月30日，正如之前外界傳聞的那樣，三星電子今天正式對外宣佈，其已開始大規模生產基於3nmGAA（Gate-all-around，環繞柵極）制程工藝技術的芯片，這也使得三星搶先臺積電成為瞭全球首傢量產3nm的晶圓代工企業。三星量產3nm GAA

三星最近開始向客戶交付首批3nmGAA芯片，但智能手機芯片供應商並沒有很快被其吸引，而是繼續與競爭對手臺積電接洽未來訂單。不過據半導體、移動與無線行業分析師SravanKundojjala在Twitter上所述，這一情況有望於2024年迎來轉變

將提供可調節的通道寬度以獲得更高的性能或降低功耗。三星3nm，起個大早其實早在臺積電公佈3nm量產之前，三星早就宣佈已經實現3nm工藝的量產。2022年六月，三星宣佈已開始采用環柵 (GAA) 晶體管架構的 3 納米 (nm) 工藝節點的

的電路單元，良率還要繼續打磨，不過臺積電3nm工藝沒有三星那麼激進，總體上還是很穩的。

積電（TSMC）占據近 70% 的出貨量份額，而 Samsung Foundry（三星代工業務）以 30% 緊隨其後。高級研究分析師 Parv Sharma 評論道，代工企業需要尖端技術和極高的資本支出，所以其對先進芯片組的兩強壟斷也並不感到意外。在 CAPEX 支

下，臺積電持續取得手機、HPC等大客戶以外訂單。當前，三星電子與英特爾苦陷先進制程投資黑洞，巨額成本恐難以回收。展望2023年上半，臺積電或將無法避免進入產業高庫存、低需求暴風圈。市場預期，臺積電營收成長動能

。編輯Dave Altavilla在RTX 40系顯卡的媒體溝通會上提到，從三星8N到臺積電4N，這一升級令人印象深刻，那麼新的工藝給Ada架構帶來哪些增益呢？老黃的回答有些出人意料，從三星8N到臺積電4N，微縮層面的提升大約在15%左右，但非