SK海力士發佈首款采用HKMG工藝的1anm 8.5 Gbps LPDDR5x DRAM

強可擴展CPU上得到驗證。這一驗證在業界尚屬首次。SK海力士的DDR5采用EUV（即極紫外光）光刻工藝。由於新的英特爾第四代至強可擴展CPU預計將成為計算行業的下一個中心，由於預期對更高性能的內存模塊的需求增加，行業專傢

領域或將不再受限於國外壟斷。此外，芯動科技近日也在LPDDR5X領域率先突破10Gbps，以先進FinFet工藝量產全球最快LPDDR5/5X/DDR5 IP一站式解決方案。除速度的提升，延遲也降低15%，非常適合5G通信、汽車高分辨率AR/V、AI邊緣計算等應

第三代驍龍8平臺都能發揮出最好的性能。相比於之前的LPDDR5X內存，LPDDR5T的速度提高13%，為強調其高速特性，所以命名的時候在規格名稱最後加上T”作為後綴。SK海力士計劃提供容量為16GB的套裝產品，數據處理速度為77GB/s，相

透露，其即將推出的DRAM解決方案包括32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM。三星還談到HBM-PIM、AXDIMM和CXL等定制DRAM解決方案。此外，三星計劃到2030年實現亞納米DRAM。

SK海力士公司正在加大在先進芯片封裝方面的支出，希望能更多地滿足人工智能開發中關鍵組件（高帶寬內存）不斷增長的需求。前三星電子公司工程師、現任SK海力士封裝開發負責人LeeKang-Wook表示，這傢總部位於利川的公司今

傲騰內存已經被放棄，業界會轉向更標準的CXL內存，SK海力士日前宣佈成功開發出DDR5級別的CXL內存，支持PCIe5.0x8通道，一套服務器的內存容量可以輕松從768GB提升到1.15TB，同時速度大增。所謂CXL內存，指的是Compute Express Link標準

歷一場“史無前例”的危機。三星電子利潤暴跌97%、SK海力士創下有史以來最大虧損、美光科技、西部數據等存儲大廠庫存攀升，存儲芯片價格跌入谷底。Gartner報告顯示，2023年全球存儲器市場規模下降37%，成為半導體市場中下

今天，三星電子宣佈，其最新的LPDDR5XDRAM通過驗證，達到8.5Gbps的業界最快速度，並可在驍龍平臺上使用。根據三星電子內存產品規劃團隊執行副總裁DanielLee的說法，8.5GbpsLPDDR5XDRAM的出現，是三星與高通長期合作所取得的成果。（

合鍵合？在下一代的HBM芯片規劃中，兩大重量級玩傢SK海力士（55%的市占）和三星（41%），此前正在HBM4中積極推進“混合鍵合”新工藝的開發。為何要采用混合鍵合？在此之前，讓我們先來解下HBM的標準發展情況。自2013年10月開

T那樣明顯，後者大多用於制造某種處理器邏輯。據說SK海力士現在已經進入其第五代1β DRAM的合作夥伴驗證過程，以確保其最新的1x納米DRAM與主要應用兼容，在SK海力士的案例中，這應該大致轉化為12納米工藝節點。據韓國朝鮮媒

財報會議上透露，其2024年的HBM產能預計已全部售罄；SK海力士副總裁KimKi-tae表示，雖然2024年剛開始，但旗下的HBM已全部售罄。當存儲三巨頭（SK海力士、三星、美光科技）圍繞HBM進行升級、擴產的那一刻，意味著蟄伏十年之久、

的技術的出現，這種技術的重要性與日俱增。雖然 SK 海力士沒有披露今年的資本支出預算，但分析師的平均估計是 14 萬億韓元（105 億美元）。這表明，先進的封裝技術可能占到其中的十分之一，是主要的優先事項。Lee 在接受

SKSiltron已開始供應新一代存儲器用晶圓給三星電子、SK海力士等，期望打破日本業者寡占局面，加速推動韓國半導體材料自產化大業。報道稱，SKSiltron已於6月完成10nm級第四代(1a)DRAM的拋光晶圓開發，預計2022年下半起開始供應三

最近，SK海力士披露亮眼的第四季度財報，2023年第四季度實現扭虧為盈，當季營業利潤3460億韓元（約合2.6億美元），而上年同期營業虧損1.91萬億韓元。這意味著，SK海力士成功擺脫從2022年第四季度以來一直持續的營業虧損情況