快科技10月25日消息，SK海力士宣佈，其LPDDR5T已在高通第三代驍龍8移動平臺上完成性能及兼容性的驗證，速率高達9.6Gbps，這是世界上最快的商業化移動DRAM。
SK海力士稱，自今年1月推出LPDDR5T以來，SK海力士就與高通展開兼容性的驗證工作，讓LPDDR5T和第三代驍龍8平臺都能發揮出最好的性能。
相比於之前的LPDDR5X內存，LPDDR5T的速度提高13%，為強調其高速特性，所以命名的時候在規格名稱最後加上T”作為後綴。
SK海力士計劃提供容量為16GB的套裝產品，數據處理速度為77GB/s，相當於1秒內可處理15部全高清（Full-HD，FHD）級別的電影。
此外，LPDDR5T內存的應用范圍不僅限於智能手機，還能擴展到人工智能（AI）、機器學習（ML）、以及增強/虛擬現實（AR/VR）。
佈，已開始向客戶提供16GB封裝的LowPowerDoubleDataRate5Turbo（LPDDR5T）存儲顆粒，這是目前最快的面向移動設備的DRAM，每秒傳輸速度可達9.6Gbps。自今年1月成功開發出LPDDR5T以來，SKhynix一直在與全球移動應用處理器（AP）制造商進行性
LPDDR5x 等產品，而SK hynix 也推出傳輸速度高達 9.6 Gbps 的LPDDR5T變體。這些低功耗 DRAM 產品是智能手機、輕薄設備甚至筆記本電腦/迷你 PC 的首選。與此同時，我們已經看到 LPDDR5(X/T) 變體在一系列其他產品中的應用，最近的產品是L
LPDDR6。就像聯發科Dimensity 9300一樣，驍龍8 Gen 3已經通過LPDDR5T的驗證，早在去年 11 月，SK hynix 就宣佈將為采用 Dimensity 9300 的智能手機出貨首批 LPDDR5T 內存芯片。據傳，vivo X100 Pro 將采用這一尖端技術，但在其規格頁面上，它仍被
上隻有韓國人能量產。根據 Trendforce 數據，韓國的 SK 海力士和三星，他倆在 2023 年拿捏全球 90% 的 HBM 內存產能。而兩年市面上的 AI 芯片，什麼 A100 A800 們，反正你能想到的，基本就沒誰能離開 HBM 內存。所以，就在老黃的英偉
性能、能效的雙領先與真正的軟硬一體化。X100全球首發LPDDR5T，速率高達9.6Gbps，給你滿分體驗。安兔兔綜合跑分超越224萬分，滿血全大核，性能超滿分。天璣9300配備8顆核心，由最高主頻達3.25GHz的4個Cortex-X4超大核 4個主頻2.0GHz的
用於AI的存儲器HBM3E的量產和HBM4的研發，同時將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產品及時供應於服務器和移動端市場。而且，公司為應對持續增長的AI服務器需求和端側AI的應用普及，將為準備高容量服務器模組MCRDIMM和移動
。下一代內存將用於顯卡，AMD、美光、NVIDIA、三星和SK海力士都參與此事。我們預計GDDR7將成為高端RDNA4和BlackwellGPU的首選內存，據傳它們將於明年推出，並在我們的最佳顯卡排行榜上爭奪一席之地。自第一款顯卡開始支持 GDDR6
SK海力士發佈全球首款采用HKMG工藝的1anm8.5GbpsLPDDR5xDRAM，這也是世界上第一個集成HKMG（High-KMetalGate）工藝的移動DRAM。LPDDR5X擁有更高的能效，比上一代產品降低25%，並可在JEDEC（聯合電子器件工程委員會）規定的1.01V至1.12V的超低
韓國SK海力士（SKHynix）已經開發出238層NAND閃存芯片，它可以用於PC存儲設備、智能手機和服務器。上周美光也開始出貨232層NAND閃存芯片。SK海力士宣稱新的238層芯片是最小的NAND閃存芯片，數據傳輸速度相比上代產品提升50%，讀
T那樣明顯，後者大多用於制造某種處理器邏輯。據說SK海力士現在已經進入其第五代1β DRAM的合作夥伴驗證過程，以確保其最新的1x納米DRAM與主要應用兼容，在SK海力士的案例中，這應該大致轉化為12納米工藝節點。據韓國朝鮮媒
預期於今年12月在NVIDIA完成驗證。之前英偉達的HBM由SK海力士獨傢供應，如今三星、美光都將加入。這也意味著，三傢存儲龍頭都將為英偉達供應HBM。而HBM3e進度依據時間軸排列如下表所示：美光已於今年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA
顯示，截至2021年，三星在DRAM市場份額為42.7%，其次是SK海力士的28.6%和美光的22.8%；NAND閃存方面，截至2022年Q2，三星電子擁有33.9%的市場份額，位列全球第一；通過收購Intel NAND Flash閃存業務，SK海力士組建新公司Solidigm，市場份額
用於AI的存儲器HBM3E的量產和HBM4的研發，同時將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產品及時供應於服務器和移動端市場。對於市況復蘇相對緩慢的NAND閃存，SK海力士2023年主要集中於投資和費用的效率化。後續，SK海力士決定通
快科技6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期於美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發佈關於3D DRAM技術的最新研究成果，展示其在該領域的深厚實力與持續創新。據最新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發上取得顯著進展，