英特爾計劃量產的下一代MeteorLake處理器，將首次體現該公司的IDM2.0制造戰略——構建具有多個邏輯塊的處理器，並借助Foveros先進封裝工藝和一個基礎塊（本質上算是一個中介層）互連。芯片中的每一塊“瓦片”（Tile），都可選用其最適合的制程工藝，以兼顧性能功能和制造成本。
舉個例子，盡管 iGPU 與 SIMD 組件需要在更先進的低功耗節點上制造，但配套的顯示控制器和媒體引擎等組件可以降級采用相對更成熟的次一級制程。
與此同時，日本科技媒體 PC Watch 在英特爾 Hot Chips 34 預熱活動後指出，“Meteor Lake”的片上系統（SoC）中，絕大多數邏輯裸片都是交由臺積電代工的。
首先，Meteor Lake 的 MCM 多芯片，是由 CPU、圖形、SoC 和 I/O 這四個邏輯塊組成的。
它們位於同一個基於 22nm HKMG 工藝節點制造的“基礎塊”（Base Tile）上，有助於極端致密的邏輯塊微觀佈線。
這一塊未引入任何邏輯組件，僅用於各塊之間的互連。
相比之下，CPU 塊采用該公司最為先進的 Intel 4（7nm EUV）工藝節點。
英特爾宣稱 Intel 4 工藝可媲美臺積電 N5 甚至更好，但更大的理由是希望將最主要的 CPU 內核部分的制造業務掌握在自傢晶圓廠手上。
據悉，CPU 塊包含 CPU 內核、末級緩存、以及 Foveros 界面。
其次是第二重要的圖形塊，其包含一個基於 Xe-LPG 圖形架構的核顯。
作為 Xe-LP 的迭代版本，LPG 具備實時光追功能，但英特爾為它選擇臺積電 N5（5nm EUV）制程工藝。
當然並非所有 iGPU 組件都被放在該圖塊上，比如顯示引擎就可以放置於 I/O 塊上。
至於占更大面積的 SoC 塊，其采用臺積電 N6（6nm）工藝節點，包含內存控制器、PCIe root-complex、各種封裝設備的控制器、以及 SerDes 串行-解串器。
最後，I/O 塊的占地面積最小，因為它本質上是 SoC die 的擴展。其采用臺積電 N6 工藝節點，輔以各種 I/O 的物理層（PHY）組件。