三星發佈第二代GAA技術SF3 晶體管尺寸縮小約20%

三星半導體業務高管前幾天表態要用5年時間趕超臺積電，實現這個目標就離不開先進工藝，去年6月份三星就宣佈全球首發3nmGAA工藝，日前該公司又推出第二代3nm工藝，預計在2024年量產。三星的3nm工藝很激進，相比臺積電2nm工藝

作為三星第一季度財報的一部分，該公司概述其代工部門今年下半年的一些主要計劃。該公司已確認，它仍將如期實現在今年下半年開始量產采用其SF3（3納米級，第二代）技術的芯片的目標。與此同時，三星晶圓代工廠將於6月

作為全球半導體技術的領導者，三星電子剛剛宣佈，其已開始用3nm工藝節點來制造GAA環柵晶體管芯片。可知與5nm工藝相比，優化後的3nm工藝可在收縮16%面積的同時，降低45%的功耗並提升23%的性能。（來自：Samsung Newsroom）據悉，

近期三星電子宣佈,基於3納米（nm）全環繞柵極(Gate-All-AroundT,簡稱GAA)制程工藝節點的芯片已經開始初步生產。而另外一邊的臺積電的3nm（N3）官方量產時間預計是在2022年下半年。這樣看起來三星似乎在3nm這個工藝節點上超過臺積

將提供可調節的通道寬度以獲得更高的性能或降低功耗。三星3nm，起個大早其實早在臺積電公佈3nm量產之前，三星早就宣佈已經實現3nm工藝的量產。2022年六月，三星宣佈已開始采用環柵 (GAA) 晶體管架構的 3 納米 (nm) 工藝節點的

啟3nmFinFET生產，但GAA芯片要到2025年推出。目前尚不清楚三星 3nm GAA 會從臺積電那邊挖來多少客戶，但從紙面參數來看，其較 5nm 工藝的升級迭代還是相當亮眼的。對於移動設備來說，環柵晶體管將帶來能效的顯著提升和尺寸縮進

昨天，世界著名的半導體巨頭三星，宣佈瞭一條大新聞。基於3納米（nm）制程的芯片，正式量產瞭！在紙面參數上，可謂是實現瞭質的飛躍——性能猛提30%，功耗猛降50%，面積也減少瞭35%。來源：新智元中間三位大咖抱的可不是

6月30日，正如之前外界傳聞的那樣，三星電子今天正式對外宣佈，其已開始大規模生產基於3nmGAA（Gate-all-around，環繞柵極）制程工藝技術的芯片，這也使得三星搶先臺積電成為瞭全球首傢量產3nm的晶圓代工企業。三星量產3nm GAA

快科技3月5日消息，據韓國媒體報道，三星電子已經通知客戶和合作夥伴，從今年年初開始，將第二代3納米工藝改名為2納米工藝。其實在去年年底就有相關消息稱，三星意欲將第二代3納米工藝改名，現在已經基本得到確認。一

三星曾多次被報道在3納米GAA良品率方面舉步維艱，雖然合乎邏輯的做法可能是想方設法提高良品率，但這傢韓國代工廠正在向量產2納米節點邁出重要一步。然而，據最新消息稱，該公司實際上並不是要生產2納米晶圓，而是將其

Arm公司和三星公司本周宣佈針對Arm下一代Cortex通用CPU內核以及三星下一代工藝技術（采用全柵極GAA多橋溝道場效應晶體管MBCFET）的聯合設計技術共同優化（DTCO）計劃。根據該計劃，兩傢公司的目標是為各種應用（包括智能手機

PU-Monkey）2010年蘋果內部設計出第一款手機處理器A4，采用三星45nm工藝制造，該設計強調電源效率。A4采用Cortex-A8內核，在不同產品中以不同的速度運行：第一代iPad為1 GHz， iPhone 4和第四代iPod Touch為 800 MHz。A4的SGX535 GPU理論上每秒

行業消息來源稱，三星公司將在"VLSISymposium2024"（2024年超大規模集成電路研討會）上發表一篇論文，介紹在2納米（SF2）工藝中應用的第三代GAA特性。據報道，三星的2nm芯片將采用這種全柵極技術，因為該公司

在追趕臺積電的路上，三星又有新動作。前些天，三星宣佈將其第二代3nm制程工藝的命名改為2nm，並已經將此消息通知客戶和合作夥伴。去年，有報道稱該公司將更改該制程的名稱，現在，得到三星官方的確認。三星稱，該制程