有多名知情人士透露，隨著芯片制造競賽的升級，三星電子計劃采用競爭對手SK海力士的技術。目前市場對於HBM（高帶寬存儲）芯片的需求越來越大，然而與競爭對手SK海力士和美光相比，三星卻失去英偉達的大單。
分析人士普遍認為，三星之所以丟掉大單，很大程度上源於其堅持采用非導電薄膜（NCF）芯片工藝；而SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）工藝，則有效解決NCF技術的弊端。
分析師認為，三星HBM3芯片的良率表現並不理想，僅維持在10-20%的水平；相比之下，其競爭對手SK海力士的HBM3良率高達60-70%。
無奈之下，三星也開始計劃采用SK海力士使用的MR-MUF工藝，而非此前堅持的NCF技術。
知情人士稱，三星最近已發出處理MR-MUF技術的設備采購訂單，還在與包括日本長瀨公司在內的材料制造商洽談采購MUF材料的事宜。
但盡管如此，由於需要進行更多的測試和優化，三星使用這一技術的芯片最早要到明年才能實現量產。
向，那麼對兩傢公司來說都是好事，但SK海力士似乎不會丟掉在HBM領域的主導地位。”
SK海力士公司正在加大在先進芯片封裝方面的支出，希望能更多地滿足人工智能開發中關鍵組件（高帶寬內存）不斷增長的需求。前三星電子公司工程師、現任SK海力士封裝開發負責人LeeKang-Wook表示，這傢總部位於利川的公司今
技訊《AI前哨》北京時間8月28日，在當今世界上最火熱的芯片行業中，有一個領域被一傢相對名不見經傳的韓國公司統治著，它就是SK海力士。目前來看，人工智能（AI）浪潮最大的受益者之一當屬英偉達，其最尖端的H100芯片已
大虧損、美光科技、西部數據等存儲大廠庫存攀升，存儲芯片價格跌入谷底。Gartner報告顯示，2023年全球存儲器市場規模下降37%，成為半導體市場中下降最大的細分領域。彼時幾傢存儲大廠集體經營虧損預估達破紀錄的50億美元
x公司今年將在韓國投資超過10億美元，用於擴大和改進其芯片制造的最後步驟，前三星電子工程師、現任SKHynix封裝開發主管的LeeKang-Wook說。該工藝的創新是HBM作為最受歡迎的人工智能內存的核心優勢所在，進一步的進步將是降
%。但是，對於DDR5，雖然SK海力士是唯一一傢全面生產128GB芯片的公司，三星剛剛開始生產，美光則在去年11月才姍姍推出128GB DDR5。業界相關人士分析道，SK 海力士1a（第四代 10nm，屬於14nm 級）DDR5 DRAM 產品良率高達 90%，遠高於競
的內存緩存功能隱藏大量延遲。熱數據被轉移到卡的 DRAM 芯片中以提高速度，而較少使用的數據則存儲在 NAND 存儲中。三星表示，這種行為會自動發生，但某些應用程序和工作負載可以通過 API 向設備發出提高性能的提示。當然
文章，稱三星已生產出基於其第九代V-NAND閃存產品的運行芯片，希望明年初可以實現量產。同時三星還正在開發行業內領先的11納米級DRAM芯片。該負責人還表示，對於DRAM三星正在研發3D堆疊結構和新材料；對於NAND閃存，正在通
NAND閃存供應鏈。此前，三星電子已是蘋果公司最大的DRAM芯片供應商。但是，提價10%很可能並非三星電子的主要訴求。從各種跡象看，三星將於年內開啟其閃存大幅降價的大幕。從逆勢增資擴產，到大幅降價，個中原因，不問可
當地時間周四，全球第二大內存芯片制造商SK海力士發佈強勁的第一財季財報。SK海力士預計，隨著人工智能相關需求的激增，內存芯片市場將全面復蘇。不過，盡管SK海力士財報表現強勁，但周四早些時候，美股科技巨頭Meta的
英偉達計劃從三星采購高帶寬存儲（HBM）芯片，這是人工智能（AI）芯片的關鍵組件，三星試圖追趕韓國同行SK海力士，後者已開始大規模量產下一代HBM3E芯片。“HBM存儲非常復雜，附加值非常高。我們在HBM上投入大量資金。”英
Yole Group發佈的數據進一步印證這一點。Yole預計，今年HBM芯片平均售價是傳統DRAM內存芯片的5倍。而考慮到擴產難度，HBM價格預計在相當長一段時間內將保持高位。鑒於HBM目前無可撼動的市場地位，以及緊張的產能和昂貴的價格
HBM芯片成AI時代“新寵”，三巨頭競爭也日益激烈，占據優勢的SK海力士脫穎而出。本月以來，外投大舉買入韓國芯片制造業巨頭SK海力士，其外資持股比例創下歷史新高。據韓國交易所最新數據，截至上周四，外資持有SK海力士
損、美光科技、西部數據等存儲大廠庫存持續攀升，存儲芯片價格也跌入谷底。存儲“寒冬”之下，2023年幾傢存儲大廠集體經營虧損預估達破紀錄的50億美元，創下過去15年來最嚴重的低迷。為緩解庫存，存儲芯片原廠相繼實行