長期以來，人們一直期待著非易失性內存能帶來計算模式的轉變，但這不可能很快實現。在最近的一次網絡研討會上，來自存儲網絡行業協會（SNIA）的業內人士表示，他們相信新技術將取代DRAM等成熟的內存技術，但這可能不會在本十年結束前實現。
在回答媒體和行業觀察傢的提問時，SNIA的Arthur Sainio、Tom Coughlin 和 Jim Handy 表示，持久性內存的速度已經達到現代 DRAM 技術的水平，SK 海力士和美光的鉿鐵電技術就證明這一點。不過，他們無法直接回答哪種新興內存技術將最終取代客戶端 PC 和服務器中的 DRAM。
雖然鐵電存儲器以快速寫入周期而著稱，但並不能保證它最終會勝出。這是因為 MRAM、FERAM 和 ReRAM 等多種新型存儲器技術都在競相取代 SRAM、NOR 閃存和 DRAM 等現有標準。
據專傢稱，MRAM 與其競爭對手相比具有很大的優勢，因為其讀取速度"很可能在不久的將來與 DRAM 的速度相媲美"。自旋軌道力矩和電壓控制磁各向異性等新技術也正在縮短 MRAM 的寫入延遲時間，使其成為有朝一日可能取代 DRAM 的主要候選產品之一。
然而，從 DRAM 過渡到持久性內存的一個主要障礙是制造成本。雖然 DRAM 的生產成本相對較低，但要使持久性內存在價格上具有競爭力，可能還需要數年時間。
妨礙采用持久性內存的另一個問題是，它目前使用的是 NOR 閃存和 SRAM 接口，而不是 DDR。不過，這種情況在未來可能會改變，因為"任何內存技術都不可能與任何總線緊密結合"。
顧名思義，非易失性內存即使在沒有電源的情況下也能保留內容，這使它在某些應用中成為一筆巨大的財富。然而，專傢們認為，盡管持久性內存的優勢顯而易見，但在不久的將來，它的廣泛應用還面臨著許多障礙。從目前的情況來看，我們可能不會在 2030 年代初之前過渡到這種新技術，"但也可能比那要晚得多"。
