根據美國喬治城大學沃爾什外交學院智庫CSET(安全和新興技術中心)的最新報告，美國晶圓廠的建設速度幾乎已經是全球最慢的，而中國大陸正在極速追趕上來。報告顯示，20世紀90年代以來，全球共新建635座晶圓廠，平均建設時間為682天。
建設速度最快的是日本，平均隻需584天，然後是韓國620天、中國臺灣654天、歐洲和中東690天、中國大陸701天。
美國則需要長達736天，隻比東南亞的781天略好一些。
如果劃分不同時間段來看，美國的情況更不容樂觀。
199x年和200x年，美國平均隻需675天就能建好一座晶圓廠，進入201x年則要花費918天。
與此同時，中國大陸和中國臺灣分別縮短到675天、642天。
進入202x年，美國的晶圓廠建設更是困難重重，經常無法按期完工。
比如臺積電位於亞利桑那州的Fab 21又推遲一年，Intel位於俄亥俄州的工廠從2025年延期到2026年底，三星位於得克薩斯州的工廠跳票到2025年。
數量方面美國也在快速下滑，199x年新建55座，200x年隻有43座，201x年則僅僅22座，合計120座。
同期，中國大陸分別新建14座、75座、95座，合計184座，比美國多足足一半。
雖然數量和速度不代表一切，尖端工藝上我們差距還非常大，但是CSET仍然提醒美國要小心中國的追趕。
盡管美國制定《芯片法案》，推動半導體制造回流本土、抑制競爭，但效果不佳。
CSET強調，美國晶圓廠建設放緩，最大阻礙就是各種各樣、紛繁復雜的法律法規，看似對公眾有益，但嚴重阻礙半導體發展，建議刪除那些沒必要的冗餘條款，為半導體行業開綠燈。
建設中的Intel新工廠