北京時間4月8日，臺積電與美國商務部宣佈簽署一項不具約束力的初步協議（PMT），臺積電將根據美國《芯片和科學法案》獲得高達66億美元的直接資助，以及高達50億美元的貸款，將在鳳凰城建設第3傢晶圓代工廠，到2023年生產2nm或更先進芯片。
第三傢芯片工廠建設將使臺積電在亞利桑那州的總投資增加到650億美元，促就亞利桑那州史上最大的海外直接投資。AMD董事長兼CEO蘇姿豐、英偉達創始人兼CEO黃仁勛、蘋果公司CEO庫克都對臺積電這筆歷史性投資表示祝賀。
美國白宮網站還專門發佈《美國總統拜登就與臺積電就芯片和科學法案初步協議發表聲明》，足見茲事重大。
▲美國總統拜登2022年12月參觀臺積電亞利桑那州工廠
臺積電在亞利桑那州的第一傢晶圓廠Fab 21一期將於2025年上半年開始生產，生產4nm FinFET技術。（臺積電美國工廠Fab21上機儀式在2022年12月舉行）
第二個晶圓廠Fab 21二期將生產世界上最先進的2nm工藝技術，除此前宣佈的3nm技術外，還將采用下一代nanosheet晶體管技術，2028年開始生產。
第三傢晶圓廠將采用2nm或更先進工藝來生產芯片，並將到2030年開始生產。
在滿負荷運轉的情況下，臺積電亞利桑那州的三個晶圓廠將生產數千萬個頂尖芯片，為5G/6G智能手機、自動駕駛汽車和人工智能（AI）數據中心服務器等產品提供動力。
▲臺積電芯片工廠2023年11月照片（圖源：臺積電）
與臺積電所有先進的晶圓廠一樣，這三個晶圓廠的潔凈室面積約是工業標準邏輯晶圓廠的2倍。
三傢芯片工廠合計將創造超過2.5萬個直接建築和制造業就業機會，以及數千個間接就業機會。
臺積電亞利桑那州晶圓廠的目標是實現90%的水循環利用率。臺積電已開始設計建設一個工業水回收廠，以實現“接近零液體排放”，使幾乎每一滴水都回到設施中。
除建議66億美元的直接資助外，PMT還建議向臺積電提供高達50億美元的貸款。臺積電計劃申請美國財政部的投資稅收抵免，最高可達臺積電亞利桑那州合格資本支出的25%。
對比之下，上個月，英特爾根據美國芯片法案獲得85億美元直接資助、110億美元貸款、25%的稅收抵免，最高可達1000億美元的合格資本支出。
臺積電仍致力於其長期財務目標，即以美元計算的收入復合年增長率為15-20%，毛利率為53%及更高，凈資產收益率為25%及更高。
“《芯片與科學法案》為臺積電提供前所未有的投資機會，並為我們在美國提供最先進的制造技術的代工服務，”臺積電董事長劉德音說，“我們的美國業務使我們能夠更好地支持我們的美國客戶，其中包括幾傢世界領先的科技公司。我們在美國的業務也將擴大我們的能力，引領半導體技術的未來發展。”
“我們很榮幸能夠支持我們在移動、AI和高性能計算領域的先驅客戶，無論是在芯片設計、硬件系統還是軟件、算法和大語言模型方面，”臺積電總裁魏哲傢博士說，“他們是創新者，推動對臺積電所能提供的最先進芯片的需求。作為他們的晶圓代工合作夥伴，我們將通過臺積電亞利桑那州提高頂尖技術的產能，幫助他們釋放創新。迄今為止，我們對亞利桑那州工廠的進展感到興奮，並致力於其長期成功。”
作者 | ZeR0
編輯 | 漠影