Intel 200億美元的晶圓廠破土動工 有望首發“2nm”工藝


在Intel去年推出的IDM2.0戰略中,在美國本土投資200億美元建設2座先進工藝晶圓廠是非常關鍵的一環,前幾天傳出跳票的消息,因為美國官方的520億美元芯片補貼法案還沒通過,不過現在消息稱Intel已經得到補貼,新工廠已經開工。

據digitimes報道,日前傳出Intel出正式購得美國俄亥俄州新晶圓廠所需的土地,這項投資金額高達200億美元。

雖然工廠開工,但是Intel的晶圓廠還有很多問題,美國政府補助將決定建廠規模,此前Intel表示由於政府520億美元規模的芯片法案陷入停滯,他們不得不推遲或者削減在俄亥俄州的投資規模,甚至威脅去歐洲建廠。

根據Intel之前的信息,新建的兩座晶圓廠分別會命名為Fab 52、Fab 62,並首次透露這些工廠將會在2024年量產20A工藝,這是Intel面向未來的CPU工藝,首次進入後納米時代,首發埃米級工藝,其中的A就代表埃米。

雖然工藝細節還沒公佈,不過20A相當於友商的2nm工藝,還會有2大黑科技——Ribbon FET及PowerVia。

根據Intel所說,RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現,它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快晶體管開關速度,同時實現與多鰭結構相同的驅動電流,但占用的空間更小。

PowerVia是Intel獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡,通過消除晶圓正面供電佈線需求來優化信號傳輸。


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