根據彭博社的最新調查，華為和中芯國際集成電路制造有限公司（SMIC）已經提交自對準四重圖形刻蝕（SAQP）技術專利，以使中芯國際實現5納米半導體生產。這兩傢中國巨頭一直在利用深紫外光（DUV）設備開發圖案刻蝕技術，使中芯國際能夠生產符合美國出口規則的節點，同時保持之前宣佈的7納米節點的工藝精度提升。
在 7 納米工藝中，中芯國際最有可能使用自對準雙圖案技術（SADP）和 DUV 工具，但為提高 5 納米節點的密度，需要將 SAQP 提高一倍。在半導體制造過程中，光刻工具需要多次轉動來蝕刻矽晶片上的設計。
特別是隨著更小的節點對密度的要求越來越高，使用 DUV 工具蝕刻 10 納米以下的設計變得越來越具有挑戰性。這就是 ASML 的極紫外光 (EUV) 工具發揮作用的地方。使用 EUV，光刻打印機的波長比 DUV 小 14 倍，僅為 13.5 nm，而 ArF 浸透 DUV 系統的波長為 193 nm。
這就意味著，如果沒有 EUV，中芯國際就必須尋找 SAQP 等替代方案來提高節點密度，結果會增加復雜性，並可能降低產量。例如，英特爾曾試圖在其首批 10 納米節點中使用 SAQP，以減少對 EUV 的依賴，結果造成一系列延誤和並發癥，最終將英特爾本身也推向 EUV。
雖然華為和中芯國際可能會為 SAQP 開發出更高效的解決方案，但由於普通 DUV 無法跟上半導體節點密度的不斷提高，因此使用 EUV 已迫在眉睫。鑒於 ASML 無法將其 EUV 設備運到中國，據稱華為正在開發自己的 EUV 設備，但可能還需要幾年時間才能展示出來。
