華為不畏美國制裁，為一系列旗艦產品量產7納米麒麟9000S被業內觀察人士視為奇跡，但這並不意味著前路會變得更容易。在最新的報告中，臺積電前研發副總裁林本堅，也是著名的浸沒式光刻機發明人，被譽為"芯片大師"，他表示，在現有的DUV設備上制造5納米芯片組將非常昂貴，但也是可行的。
不過，使用 DUV 設備批量生產 5 納米矽片至少需要四次圖案化過程，不僅耗時，而且成本高昂。
據報道，P70、P70 和 P70 Art 正在開發中，預計將於 2024 年推出，是華為明年的第一波旗艦手機。不過，目前還沒有關於這些高端智能手機將使用哪種芯片組的信息，但被 DigiTimes 稱為"芯片大師"的林本堅聲稱，在 DUV 機器上從 7 納米芯片向 5 納米芯片過渡是可能的，但華為將為此付出代價。報道稱，在中芯國際現有的 DUV 光刻機上，量產 5 納米 SoC 至少需要四倍的圖案化過程。
不幸的是，這種工藝的缺點是不僅耗時長，而且成本高，會影響整體產量，這表明華為明年的 P70 系列可能沒有足夠的"下一代"5 納米麒麟芯片供應。不過，林本堅並未將使用 EUV 設備大規模生產 5nm 芯片與使用 DUV 設備進行比較。荷蘭尖端設備制造商 ASML 已被禁止向中芯國際等中國實體提供突破 7 納米門檻所需的設備，美國試圖扼殺該地區的進步。
另一個挑戰是，在使用 DUV 機器時，需要在多次曝光過程中進行精確對準，這可能需要時間，而且過程中錯位問題任何時候都有可能發生，從而導致良率降低，並增加制造這些晶圓的時間。林本堅表示，沉浸式 DUV 技術可以實現六倍圖案，但問題同樣來自上述相關缺點。
因此，中芯國際可能會就這些 5nm 晶圓向華為收取高得驚人的費用，而且鑒於這傢前中國巨頭的大部分智能手機出貨量都僅限於一個國傢，芯片的產量也會降低，從而導致這些麒麟 SoC 的價格進一步上漲。目前還不知道華為和中芯國際未來能否采購到足夠的 EUV 設備，但有報道稱，中國政府正在投入數十億美元減少對外部供應商的依賴，包括受美國影響的供應商。