針對近期荷蘭、日本加入對華半導體設備出口管制的動向，知名行業分析師DylanPatel認為，三方所達成的合作意向依然非常初步，本質上仍是口頭協議，其中存在不少漏洞。Patel指出，如果目標是阻止中國獲得14nm、7nm或5nm工藝技術，那麼禁令必須達到能夠處理這些節點功能的不同級別的工具。
例如臺積電的16nm和12nm工藝技術，最小金屬間距為64nm，臺積電的7nm工藝技術最小金屬間距為40nm。臺積電的5nm工藝技術最小金屬間距為28nm，出口禁令應基於這些參數制定適用標準。
Patel還認為，通過SAQP等工藝和浸沒式DUV光刻機，中芯國際已經實現7nm工藝技術，而且這並不是經濟上可實現的極限，臺積電N5工藝使用的28nm最小金屬間距可以在沒有EUV的情況下制造。使用ArFi光刻的SAQP理論上也可以實現。如果目標是阻止中國實現5nm制程技術，那麼ArFi的出貨就必須被阻止，ASML和Nikon可以制造該類機臺。
如果目標是阻止中國實現7nm工藝技術的大批量生產，那麼就必須阻止所有能夠實現最小金屬間距40nm的光刻工具，這就必須涉及到限制幹式ArF光刻機。
如果目標是阻止中國擴大其14納米工藝技術大規模量產，那麼必須阻止所有可以實現節點上最小金屬間距64納米的工具，理論上，連KrF光刻機業需要納入限制，SAQP搭配KrF 光刻機，盡管經濟效益已經不是最優的，但足以應對緊急的國內需求，根據Patel推算，不考慮經濟成本，僅憑現有的DUV工具，中芯國際理論上就可以實現每月超過100000片晶圓的7nm代工產能。這高於三星和英特爾先進節點（<=7nm）代工產能的總和。如果華虹、華力、長江存儲、長鑫存儲等本土企業的所有存量DUV設備都被中芯國際調用，那麼他們所能建設的7nm產能將甚至遠超臺積電。
此外，Patel還認為光刻膠和光刻機關鍵零部件目前並無出口限制，這也是一個重大的漏洞，如果目標是遏制中國在前沿節點上的能力，也必須阻止這些工具的流通，關鍵供應商很容易被上海微電子等本土光刻機廠商所觸及。