三星電子開發出業界首個12nm工藝的DDR5 DRAM

三星電子今天宣佈，該公司已開發出業界首款LPDDR5XDRAM，支持10.7Gbps的業界最高性能。利用12納米（nm）級工藝技術，三星實現現有LPDDR中最小的芯片尺寸，鞏固其在低功耗DRAM市場的技術領先地位。三星電子內存業務內存產品規劃

達最快將從9月開始大量購買12層HBM3E內存，這些內存將由三星電子獨傢供貨。在GTC2024上，黃仁勛曾在三星電子的12層HBM3E實物產品上留下"黃仁勛認證（JENSENAPPROVED）"的簽名。而SK海力士因部分工程問題，未能推

在DDR5內存剛成為主流不久，如今三星又已經率先開始下一代DDR6內存的早期開發，並預計在2024年之前完成設計。據悉，在近日召開的研討會上，三星負責測試和系統封裝（TSP）的副總裁透露，隨著未來內存本身性能的擴大，封裝

，2022年以來，存儲行業經歷一場“史無前例”的危機。三星電子利潤暴跌97%、SK海力士創下有史以來最大虧損、美光科技、西部數據等存儲大廠庫存攀升，存儲芯片價格跌入谷底。Gartner報告顯示，2023年全球存儲器市場規模下降3

持續的營業虧損情況。相比之下，同為韓國半導體巨頭的三星，業績卻不盡如人意。數據顯示，三星電子去年銷售額為258.16萬億韓元（1.4萬億元人民幣），同比下滑14.58%。受半導體部門業績不佳影響，三星電子全年營業利潤時隔

鈦媒體註：9月21日下午，三星集團、三星電子副會長李在鎔會見媒體時表示，軟銀集團CEO孫正義將於下月訪問首爾，預計雙方會在英國半導體設計公司Arm方面形成戰略性同盟（StrategicAlliance），也可能會討論並購Arm等事項，如果

據報道，三星推出一款名為CXL分層內存混合內存模塊(CMM-HTM：CXLMemoryModule-HybridforTieredMemory)的新型ComputeExpressLink(CXL)附加卡，該卡添加可由CPU和加速器遠程訪問的額外RAM和閃存。該擴展卡混合高速DRAM和NAND閃存，旨在提供一種經濟

三星2月27日宣佈開發出業界首款12層堆疊HBM3E12H高帶寬存儲芯片，這也是迄今為止容量最高的HBM產品，達36GB，帶寬高達1280GB/s。與8層堆疊HBM3產品相比，這款新品在容量、帶寬方面都提高50%以上，可顯著提高人工智能（AI）訓練、

始，但旗下的HBM已全部售罄。當存儲三巨頭（SK海力士、三星、美光科技）圍繞HBM進行升級、擴產的那一刻，意味著蟄伏十年之久、發展至第六代的HBM終於甩去“成本高昂”的束縛，以強悍性能步入存儲市場，攪動風雲：SK海力

智能開發中關鍵組件（高帶寬內存）不斷增長的需求。前三星電子公司工程師、現任SK海力士封裝開發負責人LeeKang-Wook表示，這傢總部位於利川的公司今年將在韓國投資超過10億美元，以擴大和改進其芯片制造的最後步驟。該工

三星公佈其下一代DRAM和內存解決方案的計劃，包括GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND。作為先進半導體技術的全球領導者，三星電子今天在2022年三星技術日上展示一系列尖端的半導體解決方案，這些解決方案將在十年內推動數字轉型。自

半導體工藝領導者的基礎，20A及18A工藝有望超越臺積電、三星的2nm及後續工藝。

HBM芯片規劃中，兩大重量級玩傢SK海力士（55%的市占）和三星（41%），此前正在HBM4中積極推進“混合鍵合”新工藝的開發。為何要采用混合鍵合？在此之前，讓我們先來解下HBM的標準發展情況。自2013年10月開始，JEDEC開始發佈HBM

三星已宣佈開發出下一代HBM4內存，該內存將於2025年亮相，並具有一些強大的規格和功能。在這傢韓國半導體制造商的一篇博客文章中，三星再次重申其HBM4內存目前正在開發中，並將於2025年亮相。該公司目前的 HBM 產品組合包括