Intel CEO承認落後臺積電:2024追上、2025反超


Intel剛剛度過一個災難般的季度,營收、利潤暴跌,在曾經最引以為傲的制程工藝技術上,也被臺積電壓得喘不過氣來。財報會議上,IntelCEO基辛格做出四個明確承諾:

第一,將在四年內交付五種制程工藝,2024年在工藝性能上追平對手(臺積電),2025年利用Intel 18A工藝取得無可爭議的領先(unquestioned leadership)。

根據此前路線圖,Intel 20A、18A將分別在2024年上半年、下半年做好投產準備,前者將用於Arrow Lake。

第二,竭盡全力推動Sapphire Rapids第四代可擴展至強的規模量產和交付,2023年下半年發佈Emerald Rapids,2024年發佈Granite Rapids、Sierra Forest。

後兩款產品都采用Intel 3制造工藝,此前路線圖顯示今年下半年就能做好投產準備。

第三,2023年下半年推出Meteor Lake(Intel 4工藝的14代酷睿),2024年試生產Lunar Lake。

第四,擴展IFS代工客戶,利用Intel 16、Intel 3、Intel 18A工藝在今年贏得大量產品設計。

無論新工藝還是新產品,這些都是相當激進的,如果能順利實現,無疑將創造行業速度記錄。

但是體會一下第一條,Intel等於已經承認現在完全落後臺積電,明年才能追上。

Intel 18A工藝大致相當於臺積電的2nm,後者計劃明年試產,2025年量產,基本和Intel在同一個時間段。

因此,Intel提出的時間表和目標是相當緊迫的,不但要趕在對手前量產,還要在性能上更優秀。


相關推薦

2022-09-19

工藝的領導者,然而在14nm到10nm節點之間遇到問題,導致臺積電、三星追趕上來,並且率先量產EUV工藝,不過Intel也在努力反超,CEO制定的路線圖意味著他們隻要2年就能實現EUV工藝趕超臺積電、三星的計劃。Intel目前量產的工藝

2023-01-20

會使其在市場份額受到挑戰,但是AMD目前的銳龍架構並不落後,在臺積電的制程保證下至少也不會輸於英特爾,情況再差也不會比10年差。而在臺積電看來,英特爾的先進制程如果成功量產,那麼將會直接威脅到自己的全球半導

2023-05-21

nm工藝至關重要,計劃2024年下半年問世,而且會用它來跟臺積電、三星搶代工市場。在這方面,Intel之前已經跟ARM達成協議,雙方將基於1.8nm工藝進行優化ARM處理器,雖然具體產品不確定,但Intel已經拿到先進工藝移動處理器的入

2023-05-06

A將邁入埃米時代,大致可以立即為2nm、1.8nm,前者將追平臺積電,後者則最終實現反超。Intel 20A工藝將引入兩種全新的工藝,PowerVia背部供電、RibbonFET全環繞柵極晶體管。PwoerVia技術將傳統位於芯片正面的供電層改到背面,與信

2022-10-10

先進技術上競爭的是三星電子,然而三星在3nm工藝制程上落後臺積電,三星第二代3nm工藝最快要到2024年,因此蘋果A17將由臺積電代工。據悉,3nm是目前臺積電最先進的制程,相較於5nm,基於N3E工藝的芯片密度高出1.3倍,邏輯門

2022-11-07

在EUV光刻工藝上,Intel此前承認他們過去翻錯,讓臺積電、三星搶先,畢竟Intel是最早研發EUV工藝的半導體公司之一,現在Intel可以追上來,今年底就首次使用EUV的Intel 4工藝就會規模量產。Intel 4就是之前的Intel 7nm工藝,也是Intel

2024-04-01

晶體管密度、性能、能耗後,同年內,三星的制程工藝都落後於臺積電,臺積電晶體管密度約是三星的1.5倍以上,;先進制程客戶數量方面,臺積電也遠超三星。還有一點很重要,那就是良率,它直接影響生產成本和客戶認可度

2024-04-12

體周四發表文章,反思美國在半導體發展過程中從領先到落後的原因,其中包括本土芯片巨頭英特爾的誤判。以下是文章主要內容:阿斯麥的High-NA EUV光刻機鳳凰網科技訊 這是一個史詩級的戰略失誤。美國在半導體技術發展的早

2022-06-27

近期,2nm等先進芯片發展備受行業關註。6月17日臺積電舉行的技術論壇上,晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)首次披露,到2024年,臺積電將擁有阿斯麥(ASML)最先進的高數值孔徑極紫外(high-NAEUV)光刻機,用於生產納米片晶體管(GA

2023-05-12

年11 月11 日舉行的Rapidus 的成立記者會上,社長小池淳義承認日本在尖端邏輯芯片領域落後10-20 年,挽回劣勢並非易事。小池表示,“借助日美合作研發尖端的2 納米產品之際,合作夥伴將成為關鍵”。日本政府計劃在本國建立

2024-02-17

國的晶圓廠建設更是困難重重,經常無法按期完工。比如臺積電位於亞利桑那州的Fab 21又推遲一年,Intel位於俄亥俄州的工廠從2025年延期到2026年底,三星位於得克薩斯州的工廠跳票到2025年。數量方面美國也在快速下滑,199x年新

2023-06-07

年英特爾在14nm節點之後遭遇危機,導致先進工藝上輸給臺積電、三星,但他們這兩年正在奮起直追,4年內掌握5代CPU工藝,明年將量產20A、18A兩代工藝,相當於友商的2nm、1.8nm。這兩代工藝不僅會首次進入埃米級節點,同時還有

2022-07-01

und,環繞柵極)制程工藝技術的芯片,這也使得三星搶先臺積電成為瞭全球首傢量產3nm的晶圓代工企業。三星量產3nm GAA制程,上海磐矽為首批客戶2021年6月,三星就率先宣佈其基於GAA技術的3nm制程成已成功流片(Tape Out)。隨後

2024-05-11

以空前的力度推進先進制程工藝,希望以最快的速度反超臺積電,重奪領先地位,現在又重申這一路線,尤其是意欲通過未來的14A1.4nm級工藝,在未來鞏固自己的領先地位。目前,Intel正在按計劃實現其“四年五個制程節點”的