湖北九峰山實驗室近日宣佈，全球首片8寸矽光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在九峰山實驗室下線。據悉，矽光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓為目前全球矽基化合物光電集成最先進技術，該項成果可實現超低損耗、超高帶寬的高端光芯片規模制造，為目前全球綜合性能最優的光電集成芯片。
薄膜鈮酸鋰由於出色的性能在濾波器、光通訊、量子通信、航空航天等領域均發揮著重要作用。但鈮酸鋰材料脆性大，大尺寸鈮酸鋰晶圓制備工藝困難，鈮酸鋰微納加工制備工藝也一直被視為挑戰。
目前，業界對薄膜鈮酸鋰的研發還主要集中在3寸、4寸、6寸晶圓的制備及片上微納加工工藝上。
九峰山實驗室工藝中心基於8寸SOI矽光晶圓鍵合8寸鈮酸鋰晶圓，單片集成光電收發功能，成功破解這一難題。
九峰山實驗室表示，近年來，由於5G通信、大數據、人工智能等行業的強力驅動，光子集成技術得到極大關註。
鈮酸鋰以其大透明窗口、低傳輸損耗、良好的光電 / 壓電 / 非線性等物理性能以及優良的機械穩定性等被認為是理想的光子集成材料，而單晶薄膜鈮酸鋰則為解決光子集成芯片領域長期存在的低傳輸損耗、高密度集成以及低調制功耗需求提供至今為止綜合性能最優的解決方案。
據悉，湖北九峰山實驗室於2021年由湖北省人民政府正式批復組建，實驗室面向世界科技前沿，面向國民經濟主戰場和國傢重大需求，以建設先進的化合物半導體研發和創新中心為願景，在中國光谷建立起全球一流的化合物半導體工藝、檢測基礎設施，打造公共、開放、共享的科研平臺。
