日本汽車零部件供應商電裝開發一種用於電動汽車的功率半導體器件，可將功率損耗降低20%。據《日經亞洲評論》報道，電裝新型RC-IGBT將二極管集成到一種稱為絕緣柵雙極晶體管的功率半導體器件中，比市場上的現有產品小約30%，同時還降低功率損耗。
據悉，電裝在2019財年至2021財年期間在芯片相關領域進行1600億日元的資本投資，並將繼續增加投資。
另外，電裝於今年4月宣佈與中國臺灣合同芯片制造商聯電合作，最早從明年開始，在聯電日本的制造工廠生產300毫米晶圓上的功率半導體。更大的晶圓可以提高生產效率，與標準200毫米晶圓相比，電裝認為成本降低約20%。
化矽器件應用，以優化電動汽車性能，特斯拉、比亞迪、豐田等車企均開始采用碳化矽器件。隨著碳化矽功率器件的生產成本降低，碳化矽在充電樁領域的應用也將逐步深入。
年內使用。因此對於後 3nm 節點，ASML 及其合作夥伴正在開發一種全新的 EUV 工具——Twinscan EXE:5000 系列——具有 0.55 NA（high-NA）鏡頭，能夠實現 8nm 分辨率，預計可避免在 3 nm 及以上使用多重圖案。新的high-NA掃描儀仍在開發中，
於去年下半年開始進行整備，預計2022年將正式進行研究開發工作。東京科學大學教授Hideki Wakabayashi對此表示:“當前半導體制造業後道流程的附加值在不斷上升，如果日本在後端占據領先地位，則將能夠重新獲得在半導體領域的
制造行業，相關芯片制造商的股價應聲下跌。其中安森美半導體和意法半導體股價周四均下跌2%左右，而Wolfspeed股價當日下跌7%。坎貝爾還在活動上表示，特斯拉的下一代動力系統將采用不含任何稀土金屬的發動機。向汽車制造
自主知識產權的專利技術，並將其貫穿公司全新系列產品開發及應用中。吉林華微電子堅決依靠半導體芯片產品的設計人員、制造過程有豐富經驗的工藝技術人員、各類設備如執掌的技術人員、以及對生產管理、質量管理、環境
帶半導體：換道超車重要領域矽（Si）材料的潛力已逐漸開發殆盡。相比於矽，SiC具有其10倍的擊穿電場強度、3倍的禁帶寬度、2倍的極限工作溫度和超過2倍的飽和電子漂移速率。SiC還具有3倍的熱導率，這意味著3倍於Si的冷卻能
2022年10月10日，世界第一汽車品牌、日本第一大汽車公司豐田發臺叫bZ4X的全新電動車，喜歡這臺車的粉絲給它取個易讀又好記的昵稱——“豐田驗證碼”。這不是豐田發佈的第一臺純電車，但卻是豐田歷史上最重要的一臺純電車
6月25日消息，當地時間周五日本豐田汽車和鈴木汽車表示，兩傢公司將開始在印度合作生產混動汽車。此前豐田曾表示，目前這類汽車最適合印度市場。兩傢公司表示，豐田位於印度南部的一傢工廠將於今年8月份開始生產鈴木
對落後，但最近一段時間它們也在積極追趕。今年1月，豐田、本田、五十鈴和三菱等日本車企宣佈與泰國政府合作，在未來5年內投資1500億泰銖（約合43億美元），主要用於電動汽車生產。此外，日產在英國森德蘭，豐田在美國
廠、機械、設備、相關的工具技術以及現有項目的研究與開發，擴大產能或現代化、多樣化等。EMC 2.0計劃將為創建世界一流的基礎設施以及通用設施提供支持，包括現成工廠（RBF）棚/即插即用設施，以吸引全球主要電子制造商
湊的驅動器使電動汽車不受限制地用於日常使用。我們的新型 SCT 馬達就是解決方案”。SCT 馬達將於今年 9 月在漢諾威的 IAA 運輸展上展示，我們還需要一段時間才能在消費類電動汽車中看到它。
汽車供電。這種便攜式充電結構模仿大眾集團子公司奧迪開發的“ChargingHub”設計。大眾汽車的 ACCELERATE 戰略就是普及電動汽車，最遲到 2025 年實現凈零（net-zero）氣候中性（climate-neutral）。該戰略包括在 2026 年後每年推出一款
過程已在由高密度和高電流SRAM宏和邏輯測試芯片組成的開發測試車上得到驗證。設計靈活性–FinFlex™和多VtFinFlex™是一種具有不同散熱片配置的創新標準單元架構，首次在這項3nm技術中引入。伴隨著關鍵層的傳統間距縮放，它
日宣佈，將在位於日本西部兵庫縣的姬路半導體工廠新建功率半導體後端生產設施。新設施將於2024年6月開工建設，計劃2025年春季投產。該項目將使東芝姬路工廠的車載功率半導體產能相比2022財年增加一倍以上。功率器件是各