SKHynix在2022年的英特爾InnovatiON活動中展示一些非常規的服務器內存容量：48GB和96GB容量規格的DDR5RDIMMs，當然也有常見的32GB、64GB和128GB的密度，這些產品的數據速率為DDR5-5600和DDR5-6400。
很顯然，由於是用於服務器產品的內存，這些不太可能是XMP或超頻SPD，而是處理器可以自動匹配到的JEDEC標準。這表明DDR5-5600（JEDEC標準）可能是至強可擴展"藍寶石激流"處理器支持的標準內存速度，部分（或所有）型號也支持DDR5-6400。
SK Hynix展臺上的旗艦產品是一根容量可觀的256 GB DDR5-5600 RDIMM，它的到來能使接下來為服務器的每個處理器提供4TB的內存（每通道2個RDIMM）。
在英特爾“IntelInnovation”峰會上，SK海力士在現場展示一些新的DDR5內存模塊。除DIMM和SO-DIMM，還有RDIMM的產品，更為罕見的是，出現48GB和96GB這樣非常規容量的DDR5內存。一直以來，內存容量大多都是以2次冪提高容量，比如4GB、8GB
存模塊尚未在消費級產品中推出，而制造商們似乎已經在展示新標準的真正能力。SKhynix反擊三星，展示用於下一代GPU的下一代GDDR7內存模塊，每個模塊帶寬達160GB/s，容量為3GB。雖然有報道稱第一代 GDDR7 內存產品將使用 28 Gbps 的
服務器大容量RDIMM的主要途徑是使用矽通孔(TSV)對DRAM層進行3D堆疊(3DS)。然而，這給封裝帶來巨大挑戰（導致成本上升），而且能耗效率也不高。對大容量RDIMM的需求主要是由於用於生成式人工智能的大型語言模型（LLM）的突然出
BM和DDR5的生產差異而言，HBM的裸片尺寸通常比相同工藝和容量的DDR5大35-45%（例如，24Gb與24Gb相比）。 HBM的良率（包括TSV封裝）比DDR5大約低20-30%，生產周期（包括TSV）比DDR5長1.5到2個月。由於 HBM 從晶圓開始到最終封裝的生產周期
DDR5級別的CXL內存，支持PCIe5.0x8通道，一套服務器的內存容量可以輕松從768GB提升到1.15TB，同時速度大增。所謂CXL內存，指的是Compute Express Link標準的內存，2019年9月份由Intel牽頭阿裡巴巴、思科、華為、微軟、谷歌、HPE等公司成立
佈世界上第一款12層HBM3內存，與上一代相比，每個堆棧的容量提高到24GB。據SKhynix稱，12層HBM3堆棧與之前的8層HBM3堆棧相比，內存容量提升50%，後者提供高達16GB的內存容量。雖然還沒有宣佈使用這種內存的新產品，但NVIDIA和AMD有
。此外，值得註意的是，SK Hynix 上周也在英偉達的 GTC 上展示其 GDDR7 芯片。因此，三星的競爭對手應該會緊隨其後提供樣品，並最終量產內存。
美光展示單條256GB的DDR5-8800內存，屬於MCRDIMM模塊。據悉，美光近期展示其創新的單條256GBDDR5-8800內存，這款內存以非標準高度設計，同時為滿足1U服務器的需求，美光還推出標準高度款。非標準高度款內存采用32Gb DDR5芯片，每面
，SK海力士公司介紹其321層1TbTLC*4DNAND閃存的開發進展，並展示樣品。SKhynix是業內首傢詳細公佈300多層NAND開發進展的公司。該公司計劃提高321層產品的完成度，並在2025年上半年開始量產。該公司表示，已量產的全球最高 238 層 NAN
應用處理器配合使用。SK hynix 的 LPDDR5T-9600 內存顆粒封裝容量為16GB，VDD 電壓范圍為 1.01V 至 1.12V，VDDQ 為 0.5V。值得註意的是，該 VDD 電壓范圍略高於 LPDDR5X 規格（1.00V 至 1.1V），這應該不會有什麼大的問題，但可能需要對現有芯
解決方案組合，在支持未來人工智能的大幅增長方面處於非常有利的位置。"
外，SK hynix和英特爾已經發表一份涵蓋DDR5內存的白皮書，展示該技術的品質和1anm DDR5的記錄性能。在第四代英特爾至強可擴展處理器推出後，該公司正與一些客戶密切合作，以便更廣泛地采用DDR5，並將加強其在不斷增長的服務
Milan-X 芯片類似的 3D V-Cache 垂直堆疊 L3 大緩存方案，但將容量從 768 MB 一舉提升到超過 1GB（輔以多達 96 個 Zen 4 核心）。綜上所述，SP5 平臺將為三條 EPYC 服務器 CPU 產品線提供支持。標準 Zen 4 版本最多有 12 組 CCD、提供 96C / 192T
成為實施On-Device AI3技術的重要設備。市場對高性能、大容量移動DRAM的需求日益增長。我們將繼續憑借在人工智能內存領域的技術領先優勢，引領高端 DRAM 市場，同時緊跟市場需求。"