服務器大容量RDIMM的主要途徑是使用矽通孔(TSV)對DRAM層進行3D堆疊(3DS)。然而，這給封裝帶來巨大挑戰（導致成本上升），而且能耗效率也不高。對大容量RDIMM的需求主要是由於用於生成式人工智能的大型語言模型（LLM）的突然出現和CPU核心數的不斷增加，這兩者都需要大量的DRAM才能滿足性能要求。考慮到這些因素，美光正在推出128GBDDR5RDIMM，其運行速度最高可達8000MT
美光公司最近開始利用其經過驗證的成熟 1 β 技術制造的單片32 Gb DDR5 顆粒。與標準的 JEDEC 規格相比，這種新芯片的位密度提高 45%以上，能夠達到 8000 MT/s，同時還能以更積極的時序延遲運行。該公司聲稱，與競爭對手的 3DS TSV 產品相比，它的能效提高 24%，更快的運行速度也有助於加快人工智能訓練時間。避免使用 3DS TSV 可以讓美光更好地優化數據輸入緩沖器和關鍵 I/O 電路，同時減少數據線上的引腳電容。這些都有助於降低功耗和提高速度。
得益於 CMOS 工藝的進步和陣列效率的提高，美光的單片芯片密度每 3 年左右就會翻一番。該公司認為，隨著技術的不斷進步，未來實現 48 Gb 和 64 Gb 單片機的前景十分明朗。美光公司還宣稱，其 1 β 節點已領先於競爭對手實現量產，並在公司歷史上實現最快的良率成熟。采用 1β DRAM 的雙芯片封裝和高外形尺寸 (TFF) 模塊有望在不久的將來實現 1TB 模塊。
在宣佈采用 1 β 技術的 128 GB RDIMM 的同時，該公司還為即將推出的產品制定路線圖。HDM 和 GDDR7 預計將主導對帶寬要求較高的應用，而 RDIMM、MCRDIMM 和 CXL 解決方案則將用於需要大容量的系統。LPDDR5X 和 LPCAMM2 解決方案最高可達 192 GB，預計最早將於 2026 年出現在功耗敏感型系統中。