首批采用GDDR7內存的GPU可能采用16Gbit芯片 也有可能用24Gbit

造商進入下一代基於 EUV 的工藝節點後才能實現。因此，首批基於 GDDR7 的顯卡不可能在內存容量上有任何改進。三星和 SK Hynix 此前曾表示他們打算在 2025 年實現 24 Gbit GDDR7 芯片的量產。此外，值得註意的是，SK Hynix 上周也在英

，而且它們工作起來非常順手。隨著新顯存產量的增加，首批 GDDR7 顯卡可能會在今年晚些時候面世。這將是整個消費級顯存市場的新起點，我們期待著它的發展。

p;quot;Blackwell"顯卡的顯存速度據傳為28Gbps。盡管首批GDDR7顯存芯片的速度將達到32Gbps。英偉達還將堅持使用16Gbit密度的GDDR7內存芯片，這意味著下一代產品的內存大小可能基本保持不變。28 Gbps GDDR7 內存芯片的帶寬將比 18

32 Gbps 的高性能部件，希望某些高端 SKU 或專業顯卡可以采用它。這款 32 Gbps GDDR7 芯片的型號為 K4VAF325ZC-SC32，提供相同的 16 Gbit 密度，但時鐘頻率更高達 4000 MHz。三星網站上這兩款芯片的部件識別頁面顯示，這些部件正在向客戶

是 NVIDIA 於 2018 年 9 月推出的 RTX 20 系列圖靈架構。首款采用 GDDR6 的RTX 2080和RTX 2080 Ti GPU 的內存時鐘頻率為 14 Gbps (14 GT/s)，每臺設備可提供 56 GB/s 的速度。後來的解決方案（例如 AMD 的RX 7900 XTX）的時鐘速度高達 20 Gbps，速度為 80

D和NVIDIA均已加入。目前，三星和美光都已制定下一代GDDR7內存模塊的開發計劃。三星的目標是達到32Gbps的速度，而美光的目標也是24Gb+32Gbps的芯片。美光在其最新的路線圖中也公佈到2026年達到36Gbps和24Gb+的內存模塊。官方新聞稿

換為雙倍密度（16 Gbit）的芯片。在圖形處理器的 256 位寬內存總線上，8 個這樣的芯片加起來就是 16 GB。內存速度保持 14 Gbps 不變，GPU 時鐘也是如此。改裝過程包括拆焊 8 個 8 Gbit 芯片中的每個芯片，清除內存焊盤上的短路引腳

證實，三星已經處於下一代DDR6內存的早期開發階段，將采用MSAP技術。目前，MSAP已經被三星的競爭對手（SK海力士和美光）用於DDR5中。據介紹，下一代DDR6內存不僅將利用MSAP來加強電路連接，而且還將適應DDR6內存中增加的層數。

新一代多層陣列SeDRAM，相較於上一代單層陣列結構，主要采用低溫混合鍵合技術(Hybrid Bonding)、微型矽穿孔(mini-TSV)堆積技術。這種內存的每Gbit(十億比特)由2048個數據接口組成，每個接口的數據速度都達到541Mbps，最終實現業界領

第一代GDDR7內存模塊尚未在消費級產品中推出，而制造商們似乎已經在展示新標準的真正能力。SKhynix反擊三星，展示用於下一代GPU的下一代GDDR7內存模塊，每個模塊帶寬達160GB/s，容量為3GB。雖然有報道稱第一代 GDDR7 內存產品將

題是討論顯存配置，根據 Kopite7kimi 的說法，顯存配置將采用最新的 GDDR7 顯存標準。GDDR7 顯存將發展 GDDR6 和 GDDR6X 標準，具有更快的針腳速度和更密集的容量。最初發售時會使用 24 Gb 的模塊，速度大約 32 Gbps。這些芯片預計將於

連接器而被NVIDIA擱置。此前還有消息稱，其原本有望成為首批采用GDDR7顯存的顯卡。資料圖（via TechSpot）最新發佈的 GeForce RTX 4090 顯卡，已憑借 450W 熱設計功耗（TDP）、1600 美元建議零售價（國行 12999 RMB）、以及 24GB @ 21Gbps 的 GDD

GDDR7顯存的性能提升40%、能效提升20%。在速度方面，三星首批GDDR7產品的額定傳輸速度最高32Gbps，比GDDR6顯存提升33%，在384位總線接口時，實現高達1.5TB/s的帶寬。此外，三星還強調GDDR7顯存將采用專門針對高速工作負載進行優化的

HBM 產品組合包括作為頂級產品的 HBM3E"Shinebolt"，采用 24 Gb DRAM，容量達 36 GB，傳輸速度達 9.8 Gbps。該內存技術采用 2.5D 封裝，支持 12 Hi 的堆疊。三星 HBM 產品組合的下一個演變將以 HBM 4 的形式出現。這種特殊內存的代號