紫光公開嵌入式多層SeDRAM內存:帶寬、能效遙遙領先


快科技7月3日消息,近日的VLSI 2023技術與電路研討會上,西安紫光國芯公開發表技術論文《基於小間距混合鍵合和mini-TSV的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit嵌入式多層陣列DRAM》,展示西安紫光國芯在SeDRAM方向的最新突破。

本年度的VLSI會議共收到全球投稿632篇,最終錄取212篇,隻有2篇來自中國內地企業,其中1篇就是西安紫光國芯的貢獻的。

西安紫光國芯的新一代多層陣列SeDRAM,相較於上一代單層陣列結構,主要采用低溫混合鍵合技術(Hybrid Bonding)、微型矽穿孔(mini-TSV)堆積技術。

這種內存的每Gbit(十億比特)由2048個數據接口組成,每個接口的數據速度都達到541Mbps,最終實現業界領先的135 GBps/Gbit帶寬、0.66 pJ/bit能效,基於此實現邏輯單元和DRAM陣列三維集成。

2020年,西安紫光國芯發佈第一代SeDRAM技術,之後實現多款產品的大規模量產,而這次發佈的新一代多層陣列SeDRAM技術,實現更小的電容電阻、更大的帶寬和容量,可廣泛應用於近存計算、大數據處理、高性能計算等領域。


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