中國領先的存儲企業長鑫存儲(CXMT)已經開始準備必要設備,計劃制造自己的HBM高帶寬內存,以滿足迫切的AI、HPC應用需求。報道稱,長鑫已經在向美國、日本的供應商下單采購制造、組裝、測試HBM內存的必要設備。
這說明,相關開發設計工作已經完成,可以轉入投產階段。
消息人士稱,早在2023年中,Applied Materials、Lam Research等美國設備供應商就獲得美國政府的許可,可以向長鑫出口HBM制造設備。
考慮到HBM內存需要先進、復雜的制造和封裝技術,這似乎暗示中芯國際在這方面也已經取得突破。
目前,長鑫已經在合肥有一座DRAM內存工廠,正在籌錢建設第二座,會導入更先進的工藝,有可能會同時用來制造HBM。
暫時還不清楚長鑫要生產的HBM是第幾代,可能是HBM3,而國際上已經有更先進的HBM3E,SK海力士還計劃在2026年搶先投產HBM4。
根據規劃,HBM4將拋棄用將近十年的1024-bit位寬,首次升級到2048-bit位寬,並有望堆疊更多層級,從而在容量、帶寬上都實現一次重大飛躍。