彭博新聞社周五稱，美國正在權衡對包括芯片制造商長鑫存儲技術有限公司在內的幾傢中國科技公司實施制裁，以進一步限制中國先進半導體的發展。該報道援引熟悉此事的人士的話稱，美國商務部工業與安全局正在考慮將公司和另外五傢中國公司列入限制獲得美國技術的所謂實體名單。
對於路透社的置評請求，該部門、該局和長鑫公司方面都沒有立即做出回應。
路透社報道稱，在中芯國際一傢主要工廠為華為 Mate 60 Pro 手機生產芯片後，美國去年即采取行動拒絕向該工廠出口美國產品。
至少有一傢供應商 Entegris 因此停止價值數百萬美元的芯片制造材料和部件的供應。
近幾個月來，美國一直在積極采取行動，停止向中國出口更先進的人工智能芯片，以阻止中國接收可能會加強其軍事力量的美國尖端技術。
科技巨頭華為有關聯的中國芯片制造商列入黑名單，這是美國商務部與華為之間鬥爭的延續。據彭博社援引消息人士的話稱，這四傢公司分別是芯恩（青島）集成電路有限公司、深圳市鵬新旭技術有限公司、深圳市昇維旭技術有
網絡安全審查辦公室”宣佈按照《網絡安全審查辦法》對美國存儲芯片大廠美光公司(Micron)在華銷售的產品實施網絡安全審查。此消息一發佈，立刻引發業內的熱議，都在討論此事可能對於整個存儲芯片市場所帶來的影響。但是
中國DRAM芯片制造商長鑫存儲經過數月後終於確認，其向美國廠商訂購的芯片制造設備不受美國出口管制影響。長鑫存儲是目前中國大陸唯一一傢能運用20nm以下制程生產DRAM芯片的廠商。去年10月7日，美國出臺對華半導體出口限制
，以滿足迫切的AI、HPC應用需求。報道稱，長鑫已經在向美國、日本的供應商下單采購制造、組裝、測試HBM內存的必要設備。這說明，相關開發設計工作已經完成，可以轉入投產階段。消息人士稱，早在2023年中，Applied Materials、L
投前估值約1400億元。3月29日A股盤後，兆易創新宣佈計劃對長鑫科技集團股份有限公司，進行15億元的戰略增資，完成後將持有長鑫科技約1.88%的股權。公開資料顯示，長鑫科技旗下全資子公司長鑫存儲技術有限公司，是目前國內
據eeNews報道，美國於2022年10月實施的貿易限制對中國的存儲芯片行業構成重大挑戰，但市場分析師YoleGroup表示，沒有跡象表明中國會因此退縮。中國是NAND閃存和DRAM組件的重要買傢，占每個類別的30%或更多。它正在逐步建立其國
LPDDR全程Lwo Power Double Data Rate，簡稱“低功耗內存”，是美國JEDEC固態技術協會面向低功耗內存所指定的通信標準，以低功耗和小體積著稱，專門用於移動式電子產品。而LPDDR5就是最新的標準。相比較於LPDDR4X，搭載LPDDR5內存的手
從長鑫存儲官網獲悉，日前，長鑫存儲正式推出LPDDR5DRAM存儲芯片。據悉，此次LPDDR5系列產品包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GBLPDDR5芯片及DSC封裝的6GBLPDDR5芯片。官方表示，12GB LPDDR5芯片目前已在國內主流手機廠商小米、傳音等品
長鑫存儲技術有限公司（CX）等本地公司一起生產產品，美國商務部一位官員周四在華盛頓舉行的智囊團會議上對新的限制措施提出新的意見。美國商務部副部長說，三星和SK海力士正在與美國政府就新的限制措施進行"對話&q
最優的，但足以應對緊急的國內需求，根據Patel推算，不考慮經濟成本，僅憑現有的DUV工具，中芯國際理論上就可以實現每月超過100000片晶圓的7nm代工產能。這高於三星和英特爾先進節點（<=7nm）代工產能的總和。如果華虹、
全球市場情報公司TrendForce指出，在12月15日被美國商務部正式列入實體名單後，中國內存制造商長江存儲現在有可能在2024年前退出3DNAND閃存產品市場。從這一點出發，美國商務部將審查和批準與該國向長江存儲出口、再出口和銷
遙遠的2007年，有關DDR4內存標準的一些信息就被公開。在美國舊金山2008年8月舉行的英特爾開發者論壇上，一位來自奇夢達的演講嘉賓提供更多關於DDR4的公開信息。在當年關於DDR4的描述中，DDR4將使用30nm制程，運行1.2V的電壓、常
時代、比亞迪、中創新航、國軒高科、億緯鋰能和欣旺達等六傢中國企業成功入榜，充分展示中國在全球動力電池市場的競爭力和影響力。與去年的榜單相比，億緯鋰能成功替換孚能科技，進一步鞏固中國在全球動力電池市場的
雷達制造商禾賽科技（納斯達克代碼：HSAI）宣佈，關於美國國防部於2024年1月31日（美國東部時間）發佈更新“中國涉軍企業”名單並將禾賽列入該名單，公司認為此決定是錯誤、不公正且缺乏依據的。為維護公司聲譽，禾賽決