近期美光公司正式發佈包括GDDR7和HBM4E內存技術在內的顯存路線圖。目前美光最高規格的GDDR6X顯存最高運行帶寬為24Gbps，顯存容量為16GB。根據美光發佈的路線圖，將在2024年中推出GDDR7顯存，運行帶寬為32Gbps，容量為16-24Gb；到2026年會推出更快的GDDR7顯存，帶寬為36Gbps，容量采用超過24Gb。
而英偉達的下一代顯卡RTX 50系列基本確定在2025年發佈，到那時GDDR7顯存應該也基本成熟，首發搭載問題不大。
美光還將在2024年推出8層堆疊的AI和數據中心專用帶寬超1.2TB/s的HBM3E內存；並於2024年底2025年年初推出12層堆疊容量為36GB的HBM3E。
到2026年美光將推出12層和16層堆疊的HBM4，帶寬超過1.5TB/s；並在2028年發佈12層和16層堆疊的HBM4E，帶寬可達2TB/s以上。
在內存方面，美光將在2024年中推出LPCAMM2內存，帶寬為8533Mbps；到2026年將推出帶寬為9600Mbps的LPCAMM2內存。
和電源管理技術的 DRAM 公司共同設計一種獨傢標準。它與美光科技公司共同開發的 GDDR6X 正是這樣做的。GDDR7 的數據傳輸速率高達 32 Gbps，這將是 2024 年年底到 2025 年推出的第一輪 GDDR7 芯片的最高速度。第二輪 GDDR7 芯片將於 2025
戶的架構有些不同。目前，已經有路線圖指出將於2025年推出，但有傳言稱2024年底才有可能看到最新的圖形陣容。今天的主題是討論顯存配置，根據 Kopite7kimi 的說法，顯存配置將采用最新的 GDDR7 顯存標準。GDDR7 顯存將發展 GDDR6
第一代GDDR7內存模塊尚未在消費級產品中推出，而制造商們似乎已經在展示新標準的真正能力。SKhynix反擊三星，展示用於下一代GPU的下一代GDDR7內存模塊，每個模塊帶寬達160GB/s，容量為3GB。雖然有報道稱第一代 GDDR7 內存產品將
B/s帶寬。GDDR7顯存目前還在開發中，EDA巨頭Cadence現在宣佈推出首個GDDR7 VIP驗證方案，支持PAM3信號機制，提供二進制總線、強度建模、實數建模三種方案，開發者可以用它來驗證是否符合GDDR7標準規范。至於GDDR7顯存什麼時候能上
C已發佈GDDR7內存標準規范。下一代內存將用於顯卡，AMD、美光、NVIDIA、三星和SK海力士都參與此事。我們預計GDDR7將成為高端RDNA4和BlackwellGPU的首選內存，據傳它們將於明年推出，並在我們的最佳顯卡排行榜上爭奪一席之地。自第
DR7為下一代顯存標準，AMD和NVIDIA均已加入。目前，三星和美光都已制定下一代GDDR7內存模塊的開發計劃。三星的目標是達到32Gbps的速度，而美光的目標也是24Gb+32Gbps的芯片。美光在其最新的路線圖中也公佈到2026年達到36Gbps和24Gb+
偉達選擇更高的內存速度，如 32 Gbps。當該GDDR7標準首次推出時，三星等公司甚至計劃推出快速的 36 Gbps 芯片。除速度翻一倍之外，GDDR7 還更加節能，因為它的工作電壓比 GDDR6 更低。與 JEDEC 標準 GDDR6 的 NRZ 相比，它還使用更先進
主要標準。該公司早在 2023 年就宣佈開發計劃，並將很快推出速度更快的變體，不過新標準的起點仍將是 32 Gbps 的速度。三星最初推出的 GDDR7 內存模塊密度為 16GB，每個模塊提供 2GB 容量。速度將設定為 32 Gbps（PAM3），並可降低
日前舉辦2023年三星內存技術日”上，再次更新關於其GDDR7顯存的技術信息。自去年10月份三星正式公佈GDDR7顯存以來，就一直受到廣泛關註，如今三星帶來關於該技術更多的細節和改進。據三星官方介紹，在過去的一年裡，通過
圖，顯示RDNA4架構GPU對應的是Navi4x系列芯片，計劃在2024年推出。傳聞RDNA4架構GPU僅有兩款芯片，分別為Navi48和Navi44前一段時間流出初步的規格信息，未來將搭載在RadeonRX8000系列顯卡上。近日有網友透露，AMD在Radeon RX 8000系列顯卡
更新主要GPGPU架構的計劃，確認Blackwell架構GPU將會在2024年推出。預計GTC 2024年可能是Blackwell架構將首次登場，服務器產品會先於GeForce顯卡出現。據Wccftech匯總的消息，用於GeForce RTX 50系列的Blackwell架構GPU仍然是單芯片設計，數據
公司的目標是到2025年主導汽車存儲市場，並計劃於2024年推出面向AI的相關產品，以滿足自動駕駛需求。根據三星公佈的車規產品路線圖，2024年將推出LPDDR5X內存芯片，容量覆蓋2GB~24GB，速度最高68GB/s，每通道帶寬8.5Gbps，采用561FBG
俄羅斯正在研發生產芯片的光刻機，其工業和貿易部副部長VasilyShpak表示，2024年將開始生產350nm光刻機，2026年啟動用於生產130nm制程芯片的光刻機設備，生產將在莫斯科、澤列諾格勒、聖彼得堡和新西伯利亞的現有工廠進行。Vasi
今年早些時候，美光（Micron）宣佈正在積極為下一代顯卡準備24GbpsGDDR6X顯存。當時英偉達剛剛推出Ampere旗艦GeForceRTX3090Ti，但它搭載的僅是21Gbps@16Gb規格顯存。不過由@Harukaze5719在Twitter上的最新爆料可知，美光似乎已轉入24GbpsGDDR6X